来源：中国质量新闻网2017-09-12

北京新能源汽车股份有限公司技术高级经理白健介绍，大功率充电技术需要改进peu（动力控制单元），如：mcu（电机控制单元）中igbt（绝缘栅双极型晶体管）需要重新选型、obc（车载充电机）输出侧变压器需要调整

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2017-08-30

第四代是绝缘栅晶体管(igbt)，它是一种用mos栅控制的晶体管，它集中了gtr和mosfet的优点，驱动电路简单和开关频率高，和mosfet相似，输出电流大和gtr相似，第五代是加入sic碳化硅材料的

来源：第一电动网2017-08-29

北京新能源汽车股份有限公司技术高级经理白健介绍，大功率充电技术需要改进peu（动力控制单元），如：mcu（电机控制单元）中igbt（绝缘栅双极型晶体管）需要重新选型、obc（车载充电机）输出侧变压器需要调整

来源：中华人民共和国科学技术部2017-08-28

十二五国家863计划先进能源技术领域采用国产智能模块的储能系统电力电子关键技术研发及应用主题项目在绝缘栅双极型晶体管(igbt)智能模块和储能系统电力电子关键技术方面取得重要进展，突破了igbt智能模块设计

来源：“输配电线路”微信公众号2017-08-14

高压直流输电技术是利用大功率电力电子元件，如，高电压大功率晶闸管、可关断可控硅gto、绝缘栅双极晶体管igbt等组成整流与逆变设备，以实现高电压、远距离电力传输。...目前，南方电网正在500kv贵州施秉至广东贤令山、云南500kv德宏等输变电工程中推广应用紧凑型输电技术。

来源：悦智网2017-08-08

从20世纪90年代末开始，hvdc的配置依赖于绝缘栅双极晶体管(igbt)一种每个周期可多次开关的专用晶体管。最新igbt的开关速度不到十亿分之一秒。现在的hvdc换流器称为电压源换流器(vsc)。

来源：分布式发电与微电网2017-08-03

随着大电流绝缘栅双极型晶体管器件、柔性直流输电拓扑的衍进及控保性能的提升、柔性直流输电设备单位成本的不断下降以及高电压等级直流电缆、直流断路器、直流潮流控制器、能量制动器、直流-直流自耦变压器、直流-直流变换器等装备的研发

来源：输配电线路2017-07-05

高压直流输电技术是利用大功率电力电子元件，如，高电压大功率晶闸管、可关断可控硅gto、绝缘栅双极晶体管igbt等组成整流与逆变设备，以实现高电压、远距离电力传输。...目前，南方电网正在500kv贵州施秉至广东贤令山、云南500kv德宏等输变电工程中推广应用紧凑型输电技术。

来源：国家电网报2017-05-31

南瑞集团创造性地提出了一种桥式整流型混合式直流断路器拓扑，攻克了绝缘栅双极型晶体管（igbt）阀组强电流关断，机械开关超高速分断等关键技术，成功研制世界首台535千伏高压直流断路器，实现高达25千安的分断电流

来源：高电压技术2017-04-19

在直流侧发生短路故障后,故障电流的峰值越大,直流电网中的关键设备受到的电流冲击便越大,直流断路器中绝缘栅双极型晶体管（igbt）的应力要求就越高,避雷器吸收能量也越多,进而影响到高压直流断路器的参数设计及成本

来源：电动汽车资源网2017-03-03

下面对绝缘栅双极型晶体管(igbt)及应用进行讨论，供初级工程技术人员参考。一、绝缘栅双极型晶体管的通俗理解绝缘栅双极型晶体管是《电工学》中的一个专业术语，如何正确理解有一定难度。

来源：高电压技术2016-10-25

尤其是随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极晶体管换流阀（igbt）的柔性直流输电（vsc-hvdc）技术，因为具有有功无功可实现快速解耦控制、不存在换相失败、输出电压电流谐波含量低等优势，在可再生能源并网

来源：分布式发电与微电网2016-10-21

s1/s2与由制动电阻ro和第一绝缘栅双极型晶体管to组成的制动电阻斩波器并联,输出直流，再经过所述dc/dc变换器单元，最终将电能存储到所述超级电容储能单元。...本实用新型公开了一种轨道交通超级电容优化控制装置，包括连接单元、dc/dc变换器单元和超级电容储能单元，所述连接单元通过双极隔离开关s与外部直流馈线相连接，外部接触网直流馈线首先经过双极隔离开关s,再通过直流快速断路器

来源：北京华电科协2016-09-28

联络线投人商收运行以来,hvdc作为一项口趋成熟的技术在远距离大功率输电、海底电缆送电、交流系统间的非同步联络等方一面得到了广泛应用然而,由于技术经济的原因,hvdc在近距离小容量的输电场合却难以应用随着绝缘栅双极晶体管

来源：《科技创新与应用》2016-09-27

图2中c表示电容，d表示二极管，s表示开关，t表示绝缘栅双极型晶体管，r表示电阻，l表示电感；t1、t2、t3、t4、t5及t6共同组成igbt的abc桥型电路。

来源：北极星环保网2016-09-26

自主发展各系列的cpu产品,形成自主芯片开发、升级和应用的核心能力;加快推进新建12英寸生产线建设,支持16/14纳米工艺量产及10纳米先导工艺技术研发,发展嵌入式闪存、微机电系统(mems)、绝缘栅双极型晶体管

来源：北极星电力网2016-09-26

自主发展各系列的cpu产品,形成自主芯片开发、升级和应用的核心能力;加快推进新建12英寸生产线建设,支持16/14纳米工艺量产及10纳米先导工艺技术研发,发展嵌入式闪存、微机电系统(mems)、绝缘栅双极型晶体管

来源：正尔科技2016-09-22

简化等效图如(b)，可看出这是用双极型晶体管与mosfet组成的达林顿结构，相当于一个由mosfet驱动的厚基区pnp晶体管。图rn为晶体管基区内的调制电阻。

来源：国家电网报2016-08-12

压接型超大功率igbt（insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管）是实现柔性直流输电技术向超高压、超大容量及多端化、网络化方向发展的核心器件，具有短路失效、双面散热的特殊优点

来源：国自电气2016-03-18

电子式开关：二极管、双极性晶体管、场效应晶体管、光耦合器件及集成模拟开关等。...激光二极管ld：发光功率大、出纤功率大、耦合效率高，工作寿命短，适用于中、长距离和大、中容量的通信。光检测器件(光电变换)pin型光电二极管：输出功率小，线性关系好。