来源：北极星太阳能光伏网2012-01-17

同时，为了突破太阳能电池转化效率瓶颈，中电48所果断引入离子刻蚀与离子注入工艺技术，其中《离子反应刻蚀技术、离子注入掺杂技术》项目获得2012年度国家863计划先进能源领域重点支持。

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-15

此次收购使应用材料公司获得了维利安公司市场领先的离子注入技术。...维利安半导体还开发了用于n型光伏电池的硼离子注入技术，这项技术帮助光伏电池转换效率突破了20%。2011年第三季度，正泰太阳能的晶硅生产线选择了维利安半导体的等离子设备，其电池转换效率已达到19%。

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-02

半导体设备有限公司维利安(variansemiconductorequipmentassociates)和正泰(astronergy)公司表示，经过短短两个月的合作，他们通过使用维利安的沙里昂离子注入系统开发了新的生产工艺

来源：PV-Tech2011-09-07

维利安的沙立昂设备使用的是将掺质剂导入半导体原料的离子注入技术，而不是简单的扩散参杂。该公司称该工艺简化了生产流程，还将电池效率提高到19%以上。...维利安半导体设备有限公司(variansemiconductorequipmentassociates)今天宣布其沙立昂离子注入设备在光伏电池生产商中得到广泛应用。

来源：北极星太阳能光伏网2011-09-01

但在技术方面，目前硅电池业所使用的热扩散技术最多只有18%的转换率，而利用离子注入技术后就可以使光电转换率达到22%。...记者近日从浦东企业上海凯世通半导体有限公司获悉，该公司研制的太阳能电池关键设备离子注入机将在今年年底前完成出样，这也将成为首台在中国出产的太阳能离子注入机，预计到2013年将实现量产。

来源：北极星电力新闻网2011-05-09

此后维利安一直主宰离子注入设备市场，市场占有率高达80%。此外，维利安还设法将离子注入技术引入太阳能行业，这一技术有可能将电池效率提高2%。

来源：索比太阳能2011-04-19

在他更新过的关于n-type太阳能电池的陈述中表明，这一科技的独特优势在于：它对铁等金属杂质的高免疫力有效抵御了硼氧化引起的光感应退化，它更好的弱光感应能力，以及被识别的同族硼扩散和已有的相关解决方案，例如通过离子注入

来源：常州日报2011-03-26

中科院上海微系统所已有80多年历史，中国第一颗具有自主知识产权的存储转发通信小卫星、第一炉电弧炉钢、第一台60万伏离子注入机、第一块双极型集成电路和第一块单片光集成器件均在此诞生。...本届中国太阳能技术与投资高峰论坛由常州市政府和联合国工业发展组织主办，常州国家高新区承办，旨在交流最新的光伏和太阳能电池组件核心制造技术，进一步促进常州光伏产业发展。

来源：中国电子报2011-02-17

48所而言，我们一下步将围绕现有光伏设备提高自动化程度，建立智能的而不是粗放的太阳能电池生产线;今年将投入1.6亿元集中把mocvd设备开发出来并延伸出自己的led产业链和产业集群;ic设备领域要围绕离子注入机进一步提高水平

2006-10-10

4、赢得国际平等对话 　　100纳米离子注入机是芯片制造装备的核心设备，然而，我国在离子注入机核心技术上始终技不如人，这种局面一直使得国内从事离子注入机技术的科研人员抬不起头来。

2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。

2006-02-22

针对对我国设限的关键设备，如光刻机、mocvd、离子注入机等，以及新型半导体材料，如氮化镓、soi材料等，开展自主创新，争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。 　　...造成这些状况的原因正是因为国内企业没有核心技术，没有自主知识产权，所以半导体封装测试业的出路不再是低档产品的规模化生产，而是加快产品结构调整，加强技术创新。

2005-03-30

专家认为，该产品采用高能氧离子注入技术制作二氧化硅隔离层，将检测电路与基底隔开，避免了高温环境下检测电路与基底之间的漏电问题，解决了常规硅压力传感器120℃失效的技术难题；该产品将被测高温流体与硅敏感元件相隔离

2004-10-15

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2006-12-27

纳米刻蚀机与离子注入机设备攻关项目顺利通过国家验收，标志着我国集成电路装备技术直接跨越了5个技术代，达到了与国际同步的“8英寸100纳米”装备水平。...中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

来源：《中国电子报》2007-03-14

“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。