来源：北极星输配电网2016-04-20

最后，该模块基于alsic基板、ain基片和银烧结等高性能材料，以提供与sic器件之间近乎完美的热膨胀系数（cte）匹配，以及耐热方面的高鲁棒性和功率循环表现。...最大限度减少寄生电感可更快切换sic晶体管并降低切换损耗。

来源：技术转移在线2016-04-12

用cvd法可以制备出高质量大面积的石墨烯，但是理想的基片材料单晶镍的价格太昂贵，这可能是影响石墨烯工业化生产的重要因素。cvd法可以满足规模化制备高质量石墨烯的要求，但成本较高，工艺复杂。...外延生长法外延生长法是高温和超高真空中使得单晶碳化硅(sic)中的硅原子蒸发，剩下的碳原子经过结构重排形成石墨烯单层或多层，从而得到石墨烯。

来源：电子产品世界2013-11-19

另外，英飞凌也在致力于利用薄型sic基片的sic二极管的研发。...其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在sic二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。目前，sic基片的厚度以350m为主流，超薄产品也要达到230m左右。

来源：日经BP社2013-11-15

首先，将单晶sic基片贴合在多晶sic基片上。然后，一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离，剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。