SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻

三菱电机将于2014年11月28日开始销售用于太阳能发电系统逆变器的智能功率半导体模块“PV用大型混合SiCDIPIPM（双列直插型智能功率模块）”。该模块采用碳化硅（SiC）二极管，型号为“PSH50YA2A6”。该产品采用混合构造，即二极管部分配备SiC制肖特基势垒二极管（SBD）、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的CSTBT（利用载流子积聚效应的IGBT）构造的第七代IGBT。据介绍，新产品的功耗与三菱电机的原产品“PS61A99”相比降低了约25%，这样便可实现逆变器系统

“随着光伏发电需求的增加，光伏逆变器的销量越来越大。量产效果应该有助于降低功率半导体的成本”，日本田渊电机公司常务执行董事、统管功率电子业务的坂本幸隆这样说道。光伏逆变器是将太阳能电池板生产的电力从直流电转换成交流电（DC/AC转换）的装置。在日本，随着光伏发电固定价格收购制度的实施，以百万瓦（MW）级光伏电站为中心，光伏发电装机容量呈现“泡沫增长”景象。所需的光伏逆变器数量也随之增加，光伏发电领域形成了性能提高、同时成本降低的环境。田渊电机是日本首家在光伏逆变器中采用SiC二极管的企业。在7月3日举办的

日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。制造方法如下。首先，将单晶SiC基片贴合在多晶SiC基片上。然后，一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离，剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。对单晶基片还粘在多晶基片上的部位实施研磨等处理，然后作为制造功率元件使用的基片出货，制造功率元件时，将元器件结构设置在单晶SiC上。将剥离下来的单晶基片再次贴到多晶基片上，然后进行上述操作。反复进行这一系列操作后，就能由一