SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻

北极星电力网获悉，2024年12月11日，英飞凌科技在北京双井富力万丽酒店成功举办了以“踏‘绿’前行，‘碳’新路”为主题的碳化硅媒体发布会。此次发布会不仅是对英飞凌在碳化硅领域技术积累与创新成果的一次全面展示，更是对未来绿色能源发展趋势的一次深刻洞察。绿色转型的必然选择：碳化硅技术的崛起

11月15日，2023国际数据中心及云计算产业展览会在上海新国际博览中心盛大举行。展会吸引了来自全球多个国家和地区的专家与观众齐聚上海，作为电能质量行业的领军企业，盛弘股份携电能质量系列产品及解决方案精彩亮相，展示了盛弘股份在数据中心电能治理领域的最新成果与实践经验，吸引了大批观众驻足了

核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院依托国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项潜心攻关，突破了碳化硅器件制造和碳化硅高端电力电子装备关键技术，相关成果有效助力雄安零碳交通能源互联网建设。高比例电力电子装备是新型电力

5月24日至26日，SNEC第十六届（2023）国际太阳能光伏与智慧能源大会在上海新国际博览中心重磅举行。基本半导体携旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品，以及全系汽车级碳化硅功率模块、碳化硅二极管、驱动IC、功率器件驱动器等产品亮相展会，携手光伏圈生态合作伙伴，共话新能源行业清洁、低碳、高效发展新

北极星储能网获悉，日前，清纯半导体（宁波）有限公司宣布完成数亿元A+轮融资。本轮融资由蔚来资本、士兰微及其战略基金、华登国际联合领投，老股东高瓴创投（GLVentures）持续加注，同时获得宏微科技、鸿富资产及多家电源和光伏企业等机构鼎力支持。本次融资将用来进一步完善供应链布局、扩大团队、建

国电山西洁能有限公司平鲁、宁武、太岳山风电场265台风机一年期定检公开招标服务招标公告1.招标条件本招标项目名称为：华北公司国电山西洁能有限公司平鲁、宁武、太岳山风电场265台风机一年期定检公开招标，项目招标编号为：CEZB200004623，招标人为国电山西洁能有限公司，资金来源为自筹，招标代理机

近年来随着光伏产业的飞速发展，在保证长期稳定安全运行的前提下如何增大发电量，降低发电成本，成为光伏产业面临的一道难题。一方面光伏技术专家们通过新设计、新工艺、新材料和新技术的引入寻求解决之道，另一方面这些新元素也对光伏组件和零部件的质量提出了更高的要求。作为光伏组件端最常用也是最

5月13日，龙源电力云南分公司一则风电叶片维修服务长协采购招标公告引起行业关注，招标项目包括云南龙源杨梅山风电场、支锅山风电场、马塘风电场、雪邦山风电场、百山风电场、株木山风电场共6个风电场，509台风机叶片运维服务。风电运维、技改项目招标不断2020年初至今，风电机组运维、定检、技改项目

龙源电力云南龙源风力发电有限公司2020-2021年度6个风电场风电机组叶片维修服务长协采购项目公开招标服务招标公告1.招标条件本招标项目名称为：龙源电力云南龙源风力发电有限公司2020-2021年度6个风电场风电机组叶片维修服务长协采购项目公开招标，项目招标编号为：CEZB200101565，招标人为云南龙源风

国网山东省电力公司电力科学研究院（以下简称山东电科院）是集试验、检测、科研和办公于一体的创新基地和重要平台，主要承担技术监督、技术研发、技术服务、设备状态检测评估、计量检定配送、调度控制运行及运营监测技术支持等职能。山东电科院由科研中心、计量中心、电气试验中心和综合服务中心构成。

防爆配电箱是按电气接线要求将开关设备、测量仪表、保护电器和辅助设备组装在封闭或半封闭金属柜中或屏幅上，构成，一般来说，防爆配电箱主要分为两部分，一是成套部件(配电箱外壳及其相关配件)，另外一个则是电气元件及相关附件(空气开关和其所需要的附件)。1、空气开关：就是空气断路器，在电路中作

比利时，蒙-圣吉贝尔2016年4月15日。高温及长寿命半导体解决方案的领先供应商CISSOID公司宣布，向ThalesAvionicsElectricalSystems交付首个三相1200V/100ASiCMOSFET智能功率模块（IPM）原型。该模块在CleanSkyJointUndertaking项目的支持下开发而成，通过减小重量和尺寸，该模块有助于提高功率转换器密

石墨烯，是目前发现的最薄、最坚硬、导电导热性能最强的一种新型纳米材料。2015年以来在国内热度持续升高。本篇将从材料、研究及产业角度对石墨烯进行全面介绍。什么是石墨烯1概述石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。石墨烯是一种碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平

日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。制造方法如下。首先，将单晶SiC基片贴合在多晶SiC基片上。然后，一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离，剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。对单晶基片还粘在多晶基片上的部位实施研磨等处理，然后作为制造功率元件使用的基片出货，制造功率元件时，将元器件结构设置在单晶SiC上。将剥离下来的单晶基片再次贴到多晶基片上，然后进行上述操作。反复进行这一系列操作后，就能由一