来源：中国能源新闻网2023-12-14

现场联调结果的成功，标志着首台基于国产sic-mosfet（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运，处于国际领先水平。...今年，双方持续深化合作，全力攻坚核心元器件国产化，实现国产sic-mosfet替代进口igbt功率芯片，并正式投入应用。

来源：北极星太阳能光伏网2022-12-26

浙江晶能以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能等“双碳”产业场景

来源：佐思汽车研究2018-10-16

si igbt向sic mosfet转换sic pcu丰田内部完成sic元件所有工序混动上也大量使用sic特斯拉model 3长续航的奥秘特斯拉与sic特斯拉是继丰田后第二家使用全sic功率模块的车企，

来源：科技部2018-06-06

项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷sic外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及mosfet关键工艺和量产技术、高压氮化镓和碳化硅器件高频驱动技术

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-11

当把sic反并二极管与快速igbt相结合后，逆变器的效率将进一步改善。...2、逆变器效率的影响因素提高逆变器效率唯一的措施就是降低损耗，逆变器的主要损耗来自于igbt、mosfet等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。

来源：光伏时代2018-03-08

(4)1200v 的igbt和1200v的sic二极管相结合，开关频率更高，可以提高效率，减少电感的容量。...光伏逆变器中的功率开关器件主要是指分立器件功率mosfet和功率模块igbt。早期的中功率组串式逆变器，一般采取分立器件，由于功率mosfet电流都比较少，一般都采取多个器件并联的方式。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2017-08-30

第四代是绝缘栅晶体管(igbt)，它是一种用mos栅控制的晶体管，它集中了gtr和mosfet的优点，驱动电路简单和开关频率高，和mosfet相似，输出电流大和gtr相似，第五代是加入sic碳化硅材料的

来源：电子产品世界2017-06-29

在今年的pcim展会上，英飞凌将展出基于1200 v sic mosfet技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大coolsic mosfet的性能范围。

来源：cnbeta网站2016-01-04

在射频领域，已研制出性能极高的零带隙大面积石墨烯ｍｏｓｆｅｔ、双层石墨烯ｆｅｔ等产品；在石墨烯数字逻辑方面，已出现了双层石墨烯晶体管、纳米带晶体管和隧穿ｆｅｔ及相关电路。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

摘要：本文简要比较了下sic mosfet管和si igbt管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据sic mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的

来源：中国节能产业网2015-06-01

2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。

来源：中国节能产业网2015-06-01

2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。

来源：大比特2014-01-24

三菱电机从1990年代开始研发sic功率半导体。2010年，该公司使用sic功率半导体，在全球率先上市了变频空调。2012年，东京地铁银座线的部分车辆也采用了该公司的产品。...最后是igbt(绝缘栅双极晶体管)，在一个半导体元件(芯片)上集成双极晶体管和mosfet而构成。不仅耗电量小，能够处理大电流。而且可以实现高速开关。

来源：电子发烧友网2013-11-28

为 了帮助设计师满足这些挑战，在创新的高性能功率晶体管技术方面，随着可理想适用于功率转换系统的碳化硅(silicon carbide，sic)技术解决方案的推出，飞兆半导体扩大了它的领导地位。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国igbt行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向

来源：半导体应用联盟2013-09-23

另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国igbt行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向

来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：中国传动网2010-12-13

sic高功率、高压器...2、碳化硅功率器件sic（碳化硅）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，在电力电子方面也是很重要的，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。