IBM发布两项半导体制造新技术

北极星电网在线讯:    IBM日前发布了两项可提高半导体元件性能、降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(SOI)相结合的SSDOI技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(CMOS)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。

　　在过去的研究中，IBM表示“通过使用应变硅，能将半导体元件性能提高20%-30%”。不过，据称由于有SiGe层，因此难以利用这种方法进行生产。而该公司首次绕过SiGe层生产出具有极薄SSDOI结构的晶体管，“在实现高电子迁移率的同时，还解决了生产时的问题”。　　另外，该公司通过在一个晶圆上结合2种硅基层，成功地开发了空穴迁移率比利用原来技术生产的CMOS高出1.5倍的元件，利用这项技术可将CMOS性能提高40%-50%。