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IBM和斯坦福大学联手自旋电子学研究

2004-04-29 00:00关键词:电子IBM收藏点赞

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美国IBM和斯坦福大学日前宣布,为了加快使用电子自旋实现内存和晶体管的“自旋电子学”领域的研究,双方将着手进行联合研究。目前已经在IBM位于美国加利福尼亚州圣诺塞的开发基地——阿尔马丁研究中心实验室中成立了一家名为“SpinAps (IBM-Stanford Spintronic Science and Applications Center,IBM-斯坦福自旋电子科学与应用中心)”的研究中心。IBM自信地表示,“研究人员将在这里加紧研究,以便能够实现与晶体管诞生一样的技术突破”(IBM研究部门VP Personal Systems & Storage部负责人兼阿尔马丁研究中心经理Robert J. T. Morris博士)。由于研究内容都是基础性的工作,因此IBM表示:“至少5年内不可能应用于产品中”。

阿尔马丁研究中心实验室

MRAM的开发历史(IBM发布会上的演示资料)

  自旋电子学就是将电子自旋存在2个不同状态(上和下)的性质应用于信息处理中。与使用正负电荷的现有信息处理相比,有望实现耗电量低、处理速度高的电子元件。阿尔马丁研究中心实验室以自旋电子学领域的研究成果,早于1997年就开发成功了硬盘GMR磁头。另外,高速非挥发性内存MRAM也被定位于自旋电子学领域的应用。此次设立的SpinAps研究人员希望能在上述研究的基础上再深入一步,开发出利用电子自旋的晶体管和用来实现量子计算机的基本元件。

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