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在日前召开的国际电子设备大会(IEDM),业内一家研究机构表示,尽管在技术上相对落后,但中国将成为全球最大的半导体制造中心。
在当日的会议上,日本东京技术协会下属“Frontier Collaborative”研发中心教授Hiroshi Iwai表示:“随着半导体工厂数量的日益增多,中国在全球半导体制造市场的份额也将随之增加。相信,中国市场将是全球半导体制造业的未来。”
Iwai还补充道:“如果能够保持政治和经济上的稳定,那么长期角度讲,中国将成为全球最大的半导体制造中心。但是,当前,中国内地要想赶上韩国和中国台湾地区仍需要几年的时间。”
同时,Iwai还对北美、欧洲和日本在全球半导体市场上的作用进行了预测。他说:“整体而言,这些地区的半导体制造商会转向新技术的开发工作,但作为战略需要,他们还会保持一部分领先的芯片制造技术。”
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新日本无线株式会社基于和UMCJ株式会社的合作协议,已经开展进行了半导体制造(前工程的晶片工艺制造)的协同生产,并完成了晶片工艺的开发、产品开发及生产体制的健全,现在样品发货已经开始,特此做以下汇报。1)开发的工艺技术协同开发的工艺技术是基于UMCJ的8inch0.35μCMOS※1工艺技术,其植入了新日本无线杰出的双极元件和BCD※2工艺技术里主要的功率元件DMOS※3元件(Nch、Pch),开发的有50V耐压BCD工艺技术和35V耐压CMOS工艺技术,两种产品。50V耐压BCD工艺技术是使用了UMCJ平坦化技术而达到最大5层布线及上层3&mu
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