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2005-07-13 00:00关键词:闪存芯片收藏点赞
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以色列存储芯片开发商赛凡半导体(Saifun Semiconductors)与中国领先半导体制造厂商中芯国际周三联合宣布,双方将合作生产一种性价比更高的8Gb闪存芯片。 据路透财经报道,两家公司称,这款独特的新产品将于2008年推出,它将采用中芯国际先进的制造工艺和赛凡的Quad NROM技术。 赛凡董事长见首席执行官波阿斯·埃特恩(Boaz Eitan)说:“我们相信中芯国际的创新技术及专业特长与赛凡独特的NROM技术相结合,将推动我们两家公司均成为利润丰厚的数
韩国三星电子周一表示,将斥资3,912亿韩元(3.877亿美元)从事下一代半导体的研发。 路透社报道,三星称,这项投资是为了开发闪存芯片,如DRAM和快速闪存等。
AMD将在11月发表MirrorBit芯片技术,此产品的价格和性能均可与NAND型闪存竞争,可望为AMD创造另一营收来源。 虽然AMD尚未公布产品细节,但研究公司Semico Research分析师Jim Handy表示,AMD应会在11月12日公开说明MirrorBit技术应用在NAND市场。这个新产品对AMD非常重要,因为公司将可分食NAND每年60亿美元的市场。 闪存用于手机、数码相机和数码音乐播放机等装置,在关闭电源仍能储存资料。目前有两种规格NAND和N
英飞凌和IBM二家公司于当地时间本周三本周二宣布,它们已经展示了一款16兆位MRAM(磁性内存)的原型产品,将这种节能内存技术向商业化应用又推进了一步。 MRAM是一种非挥发性存储技术,能够在没有电源供应的情况下保存更长时间的信息。这种技术被认为在未来将会取代闪存,甚至可能会取代目前PC中的DRAM。目前,手机、数码相机等数字产品中大量使用了闪存。 利用磁阻材料生产的MRAM通过产生使存储单元成为二种磁性状态之一的磁场存储数据。相比之下,包括DRAM、SRAM
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