来源：华夏时报2015-07-03

英飞凌科技(中国)有限公司中国区汽车电子业务负责人及高级总监徐辉说，访问期间，马凯副总理尤其关注英飞凌的igbt技术，希望英飞凌能够利用自身优势，帮助中国企业实现跨越式发展。...分析人士认为，他们这种执掌大型企业的经历，对于加快推动新一代信息技术与制造技术融合发展，大有裨益。

来源：华夏时报2015-07-01

英飞凌科技(中国)有限公司中国区汽车电子业务负责人及高级总监徐辉说，访问期间，马凯副总理尤其关注英飞凌的igbt技术，希望英飞凌能够利用自身优势，帮助中国企业实现跨越式发展。...分析人士认为，他们这种执掌大型企业的经历，对于加快推动新一代信息技术与制造技术融合发展，大有裨益。

来源：中达电通股份有限公司2015-02-03

因应绿色环保的大势所趋，ultron dps在pfc(功率因子校正)与逆变器皆采用三电平igbt技术，整机ac-ac效率可高达96%。...此外，台达先进的数字pfc控制技术亦实现了低输入谐波失真(ithd3%)以及高输入功率因子(0.99)，林起民总监补充说：台达ultron dps系列ups持续为客户创造价值，提供优异的电源保护、绝佳的能源效率以及同级最佳的总体拥有成本

来源：电气中国2014-11-19

，联盟的成立有利于整合国内一切igbt技术与产业化资源，成为促进中国igbt产业健康可持续发展的进步力量。...但目前国内市场所需igbt主要依赖进口，国内企业通过自主研发与消化吸收国外先进技术，拉近了与国外企业的差距。igbt产业联盟的成立更是对打通上下游，延伸产业链起到积极的推进作用。

来源：元器件交易网2014-06-26

igbt芯片技术含量极高，制造难度非常大，被业内誉为皇冠上的明珠，其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。过去，全球igbt技术主要掌握在欧洲和日本等少数几个国家手中。

来源：中国科学报2014-06-23

现代电子技术发展至今，产生了两个分支，一是以向微型化发展的信息电子技术，以cpu为代表;二是向大功率发展的电力电子技术，以igbt等为代表。长期以来，我国igbt芯片及相关产品99%以上依赖进口。

来源：中国电力电子产业网2014-06-09

当前我国igbt产品整体发展处于起步阶段，株洲所是我国唯一全面掌握igbt从芯片设计模块封装组件应用全套技术的企业，也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率igbt技术及模块技术完善的产品体系的企业。

来源：中国质量报 记者：徐建华2014-01-09

，引领着当前igbt技术的可持续发展。...，项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业igbt技术的最高水平。

来源：北极星电力网 刘亚鹏 曹婷2013-12-27

igbt器件成套技术特别是难度极高的高压高功率密度igbt器件技术上的超强实力。...，引领着当前igbt技术的可持续发展。

来源：电子发烧友网2013-11-21

igbt技术概述igbt有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有igbt包括沟道非穿通型 (npt)、沟道场截止型 (fs) 第一代和沟道场截止型第二代igbt等类型。

来源：机房3602013-11-11

在线式高效数字功率器件pigbt技术dsp技术和smd电气集成模块电池保护功能灵活可靠的并联技术通信及监控功能高可靠性散热系统控制和诊断监控系统ups系统配置方案很多设计工程师都试图设计出完美无暇的ups

来源：中国电力电子产业网2013-08-19

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n;而igbt的基板极性为p。

来源：美国国家仪器(NI)有限公司2013-06-28

目前，最常使用的设备类型之一是绝缘栅双极型晶体管或igbt。20世纪80年代以来，igbt技术已经经过了六次发展，平均每11年，其能源效率提高了一倍。...而其他具有竞争力的real-time平台则需要更大规模的电路设计人员、dsp程序员、工程师和技术人员团队，而且仍然无法部署这些平台。

来源：中国知识产权报2013-04-19

在国家知识产权局专利局审查业务管理部组织下，由国家知识产权局专利局电学发明审查部完成的《功率半导体器件专利分析报告igbt技术分支专利分析》(下称《报告》)显示，我国虽然进入igbt的设计制造时间较短，

来源：北极星电力网2012-10-10

该系列产品采用dsp数字化控制技术和成熟经典的双变换纯在线igbt技术及采用高裕量的功率器件，产品稳定可靠，可始终保证对负载高质量的稳压、稳频、纯净正弦波输出。...同时，纯在线的静态旁路技术，提供了极强的过载及故障保护装置，充分满足了晶能光电对高品质供电的要求。

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。

来源：电子工程世界2011-09-08

igbt技术igbt基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(bjt)。这种设计让igbt的栅极可以像mosfet一样，以电压代替电流来控制开关。

来源：北极星电力网新闻中心2010-12-15

它应用双变换在线式igbt技术和双内置微处理器，具有交流输入过/欠压保护；输出过载、短路保护；逆变器过温保护、电池欠压预警/保护、电池过充电保护、开机自诊断等全面保护功能，以及非固定主从关系并机功能、并机系统可共享同一组后备电池功能

来源：互联网2010-04-08

irmosfet及igbt技术发挥了先进的效能，可用于不同的太阳能逆变器拓朴，如单相和三相的设计，帮助系统减低功率耗散。...此外，英飞凌的构槽栅场终止技术fieldstopigbt、coolmos、碳化硅二极管sic在高能效的太阳能逆变器也有出色的表现。 ir也是太阳能技术的先驱。