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3300伏、4500伏、6500伏……在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片产品的家族里,中国南车一次又一次创造了属于自己的辉煌,这一次,他们带来的是代表目前国内行业最高水平的6500伏高压IGBT芯片。近日,在中国南车株洲所举办的高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发项目鉴定会上,由该公司研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并获得权威专家的广泛认可,项目成果总体技术处于国际领先水平,代表了我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。
据介绍,鉴定会聚集了我国电力电子行业的知名专家,来自中国科学院、中国工程院的4位院士以及来自中科院微电子所、南京大学、中南大学等高等院所的权威专家认为:中国南车株洲所研制的高压高功率密度IGBT系列器件具有耐压高、电流大、功率损耗低、动态性能好等诸多优点,经历了严苛的性能测试和试验考核,而且具有在轨道交通、柔性直流输电等重大工程项目的实际应用业绩,其成果总体技术处于国际领先水平、填补了国内行业空白,实现了我国在高端IGBT技术领域与国际先进水平接轨,具有重大战略意义。
鉴定会上,中国南车株洲所还同时展示了“IGBT家族”的超强阵容,比如1500安/3300伏、1200安/4500伏、750安/6500伏等不同规格的IGBT芯片及模块产品,均代表行业最高水平,也显示了我国在这一领域的强劲发展势头。
成功打破国外垄断
据悉,高压高功率密度的IGBT应用领域从传统的电力、机械、矿冶到4C产业,扩大到轨道交通、柔性直流输电、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业,在推动国家节能减排、传统产业转型升级、装备制造水平提升、国防现代化与科技化以及民众生活质量等方面具有重大的战略价值和经济价值,是现代功率变流装置的“心脏”和绿色高端产业的“核芯”。
近年来,随着IGBT芯片设计与工艺技术的不断进步,模块封装理念及材料的不断革新以及市场强大的需求,3300伏电压等级及以上的高压IGBT正在向更高功率密度、更高工作频率、更高工作温度和更高可靠性方向发展,引领着当前IGBT技术的可持续发展。
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