来源：PV-Tech2014-08-27

欧姆龙也以推出全sic产品为目标，不过sic元件的价格还较高，所以暂无法上市。如果sic元件随着晶圆大口径化等走向低成本化，全sic产品的上市就有望增多。

来源：北极星电力网（原创）2014-05-06

双方的这一合作所产生的协作优势包括：例如：sic 电源开关专用的隔离式栅极驱动器hades 技术;高温 sic mosfet;及 sic 传感元件的高温信号调节器。

来源：大比特2014-01-24

与硅制产品相比，理论上可减少70%的功率损耗。三菱电机从1990年代开始研发sic功率半导体。2010年，该公司使用sic功率半导体，在全球率先上市了变频空调。

来源：电子产品世界2013-11-19

为了进一步减薄厚度，许多大型sic功率元件厂商都在致力于相关研发。比如，罗姆通过研磨等工序将sic基片减薄至50m，并用其试制出了耐压700v的sic肖特基势垒二极管(sbd)。

来源：中商情报网2013-11-18

sic、gan器件开关时间高于siigbt的23倍，将使无源元件电容电感减小，提高频率又可见效变压器的体积和重量，使设备体积和重量减小。...与传统的硅器件相比，采用第三代半导体材料sic、gan无，器件能耗有望降低50%，又可工作在高极限环境温度。因此，可大大节省基础设备的冷却费用，并见效设备体积和大小。

来源：日经BP社2013-11-15

日本风险企业sicoxs开发出了低成本生产制作sic功率元件使用的sic单晶基片的新方法，主要是通过减小sic单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。

来源：OFweek工控网2013-11-13

igbt与其他功率元件的竞争igbt不再是高阶电子设备的唯一解决方案了，sicdevices已经量产、gandevices也在试产阶段，igbt的应用逐渐被推往中、低电压的产品，sic负责处理highvoltage

来源：OFweek半导体照明网2013-11-12

量产sic功率元件使用的sic基板目前以100mm(4寸)口径为主。随着6寸产品的普及，生产效率有望提高，从而降低sic功率元件的成本。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国igbt行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向

来源：半导体应用联盟2013-09-23

另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国igbt行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向

来源：日经能源环境网2013-05-24

安川电机和田渊电机均将根据额定容量，区分使用sic制和gan制功率元件。...最近，由于各公司相继推出了gan和sic功率元件，功率调节器厂商对实现720日元的成本寄予厚望。

2012-10-10

6.1.9 电子功能材料gan，sic，znxe 等化合物半导体材料，led 光电子材料产品，气 敏元件，湿敏，光敏材料，巨磁阻抗等传感材料。...6.1.4 高纯元素及化合物高功率石墨电极，锂离子电池负极用石墨，中间相碳微球，人造金刚石等，高纯锗，高纯碲，高纯硒，高纯镉，高纯汞，高纯砷，高纯硫，高纯度砷化镓，高纯度硒化镓，高纯度碲化镉。

来源：电子发烧友网2011-04-20

2651a型的这些功能提供了业内可用的最宽动态范围，使其非常适合于各种大电流、大功率测试应用，包括：·功率半导体、hbled和光器件特性分析和测试·gan、sic及其他复合材料和器件的特性分析·半导体结温特性分析

来源：中国电源学会学术工作委员会2011-01-26

电池、及充电技术12.软开关技术 13.多电平、新颖pwm控制 14.系统仿真、建模与控制 15.高频磁元件和集成磁技术 16.单相、三相功率因数校正技术 17.谐波、电磁兼容和电能质量控制 18.sic

来源：中国传动网2010-12-13

sic高功率、高压器...2、碳化硅功率器件sic（碳化硅）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，在电力电子方面也是很重要的，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

来源：中国能源信息网2010-10-15

原因是，sic的晶圆实现了4英寸（100mm）的大口径化，所以可以降低元件价格。sic功率半导体需求尤其旺盛的是太阳能发电用途。考虑采用的厂商从2009年开始增加。

来源：互联网2010-04-08

此外，英飞凌的构槽栅场终止技术fieldstopigbt、coolmos、碳化硅二极管sic在高能效的太阳能逆变器也有出色的表现。 ir也是太阳能技术的先驱。...太阳能逆变技术业界对于产品寿命有很高的期望，一般都能保证20至25年的使用期，因此特别着重每种元件的可靠性。尽管半导体元件通常都达到这种可靠性水平，但对于无源元件来说却有可能是一个挑战，特别是电容器。

来源：互联网2009-09-27

碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。