来源：cnbeta网站2016-01-04

在射频领域，已研制出性能极高的零带隙大面积石墨烯ｍｏｓｆｅｔ、双层石墨烯ｆｅｔ等产品；在石墨烯数字逻辑方面，已出现了双层石墨烯晶体管、纳米带晶体管和隧穿ｆｅｔ及相关电路。...加热ｓｉｃ法加热ｓｉｃ法是在ｓｉｃ晶圆的ｓｉ面或ｃ面上，通过加热使ｓｉ原子蒸发掉而在ｓｉｃ上形成石墨烯层。该方法制作的石墨烯材料层数可控，面积较大，具有较高的载流子迁移率，能够研制出高性能的射频芯片。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-25

宽禁带宽度材料，sic mosfet具有相当低的漏电流，更适应在高电压环境中的应用;日前，mornsun与sic mosfet行业龙头企业合作，打造了一款sic mosfet专用的隔离转换dc-dc模块电源

来源：eeworld2015-06-24

作为下一代半导体材料，碳化硅(sic)引起市场广泛关注。意法半导体最新的碳化硅功率mosfet具有优异的能效和可靠性，为公司的产品阵容增加了导通电阻不同的新产品。...凭借意法半导体独有的封装技术，新的1200v sic功率 mosfet的工作温度高达200 c，适用于高温工作环境，例如太阳能逆变器、电动汽车、混合动力汽车、计算机服务器系统和工业电机。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

二、sic mosfet与si igbt性能对比目前市面上常见的sic mosfet电流均不大于50a，以常见的1200v/20a为例，列举了cree公司与rohm公司的sic mosfet管的部分电气参数

来源：中国电力电子产业网2014-09-29

同我们原先考虑采用的si超结mosfet相比，sic技术能够降低我们逆变器电子中超过30%的损耗。...科锐1200vsicmosfet科锐1200vc2m0080120dmosfet应用在太阳能逆变器的主要电能转换阶段，具有更快的开关特性，开关损耗仅为相应的900vsi超结mosfet的三分之一。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。...研发方面设定了三个子课题：(1)sic的缺陷、物性控制以及器件基础、(2)超厚膜及多层sic外延晶圆技术、(3)工艺及超高耐压sic器件技术。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。...研发方面设定了三个子课题：(1)sic的缺陷、物性控制以及器件基础、(2)超厚膜及多层sic外延晶圆技术、(3)工艺及超高耐压sic器件技术。

来源：北极星电力网（原创）2014-05-06

双方的这一合作所产生的协作优势包括：例如：sic 电源开关专用的隔离式栅极驱动器hades 技术;高温 sic mosfet;及 sic 传感元件的高温信号调节器。

来源：大比特2014-01-24

三菱电机从1990年代开始研发sic功率半导体。2010年，该公司使用sic功率半导体，在全球率先上市了变频空调。2012年，东京地铁银座线的部分车辆也采用了该公司的产品。...其次，功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)是利用输入电压控制动作。耗电量较小，能够实现高速开关。但处理大电流时损耗大。

来源：电子发烧友网2013-11-28

通过在它的产品组合中推出基于sic的产品，飞兆在创新 的、高性能功率...而且，来自目前材料(例如，硅)的上述既有器件的局限性可以通过下一代宽带隙半导体产品，比如sic和gan开关来克服，它们将会在不久的将来应用于这个市场中。

来源：东芝电子2013-11-25

工业在面向工业电子的应用方向中，大功率器件、混合功率器件、功率mosfet以及光电耦合器等也一一被展出。...其中，应用广泛的分立器件产品线、面向电铁/功率转换/工业用变频器的大型igbt模块，新型半导体化合物sic和gan等也备受关注。东芝半导体以其优秀的稳定性能、实现高效率和高性能，受到众多客户的欢迎。

来源：OFweek半导体照明网2013-11-12

图2：各公司全力开发沟道型sic mosfet在sic相关国际学会icscrm 2013上，沟道型sic mosfet研发成果的发表络绎不绝。降低电容、提高生产效率都得到了实现。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

与其它mosfet等其它分立功率元件相比，中国igbt销售额增长强劲。igbt产品可以分为igbt模组和分立器件。...另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国igbt行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向

来源：半导体应用联盟2013-09-23

与其它mosfet等其它分立功率元件相比，中国igbt销售额增长强劲。igbt产品可以分为igbt模组和分立器件。...另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国igbt行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向

来源：semi2013-07-18

sic器件和gan器件的特点是，工作温度比igbt和传统功率mosfet等si系器件的工作温度更高。有越来越多的技术人员打算在严酷的条件下使用采用sic器件和gan器件的电路，开始对其进行实际评估。

来源：EnergyTrend2013-04-23

科锐公司(nasdaq:cree)与台达能源系统公司(delta energy systems)共同宣布成功达成太阳能逆变器(pv inverter)业内一项计划，台达的新一代的太阳能转换器将科锐的碳化矽(sic...)功率 mosfet纳入设计。

来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：中国传动网2010-12-13

sic高功率、高压器...而现代ups普遍采用了脉宽调制技术和功率mosfet、igbt等现代电力电子器件，使用现代电力电子器件让电源的噪声得以降低，功率和可靠性增大。

来源：互联网2009-09-27

碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。 　　...关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。