来源：中华网2013-11-21

在先进技术展区中，三菱电机展出最新治疗癌症的粒子线疗法和电力供求控制技术;在基础技术展区内，展出应用广泛的功率半导体、碳化硅器件和光模块。

来源：北极星电力网2013-10-23

2010年，该公司在英国成立功率半导体海外研发中心，联合早先成立的国内研发中心，组建了由丁荣军院士领衔的上百名全球性研发团队，专注新一代igbt芯片技术、新一代高功率密度igbt模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等技术的开发与应用

来源：东莞日报2013-10-15

据了解，国内碳化硅器件需求占全球市场的50%，但是目前完全依赖进口，没有自主的生产技术，像天域半导体生产的碳化硅外延片需要出口到国外，由国外生产成器件再出口给中国，这就使得国内在一些重大关键装备上受制于人

来源：新世纪LED网2013-09-04

顺势：硅衬底led产品成本低廉，综合优势突出相比蓝宝石衬底、碳化硅衬底技术，硅衬底led技术具有材料成本低、器件散热性好、结构简单等综合优势。...为此，晶能光电创新性地运用硅代替传统的蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基led器件，并在全球率先将具有自主知识产权的硅衬底led技术产业化。这是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术，具有原创技术产权。

来源：国际新能源网2013-07-01

采用宽禁带半导体即碳化硅和氮化镓，是太阳能逆变器的制胜之道，lux research分析师pallavi madakasira表示，采用sic和gan器件带来的性能优势是如此之多，以至于逆变器厂商能够在显著降低均化电力成本的同时

来源：PV-Tech2013-04-26

基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(sic)和氮化镓(gan)电力电子芯片和器件，研究sic和gan器件在不同功率等级、电压范围光伏逆变器的应用特性

来源：科技部2013-04-16

1.2.1基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(sic)和氮化镓(gan)电力电子芯片和器件，研究sic和gan器件在不同功率等级

来源：财富赢家网2012-10-22

联创光电：已形成从led外延片、芯片、器件到全彩显示屏、半导体照明光源等应用产品的较完整产业链和规模化生产。方大集团：我国在led领域拥有专利最多的企业之一。...天富热电：旗下天科合达生产碳化硅技术国内唯一，打破了cree公司的技术垄断，价格比cree低20%~30%，水晶光电：公司前身水晶集团拥有长水晶的一些技术，不排除向上游蓝宝石长晶拓展的计划。

来源：中国电子报2012-10-19

我国半导体前工程加工辅助材料也有着不同程度的变化发展，包括靶材、光刻胶、超净高纯化学试剂、特气、ic光掩膜及其合成石英玻璃基板、碳化硅磨料、半导体级石英坩埚、电子级碳-石墨材料等。...在新光源革命带来的巨大市场需求的推动下，近年led器件在我国得到高速发展，它也带动了我国化合物半导体、蓝宝石等材料发展，开始大量迈入到半导体器件应用领域。

来源：北极星电力网2012-10-10

led 高效驱动和智能化控制技术，led 光源与灯具模块化、标准化、系列化关键技术，新型 led 照明应用产品开发，led 在农业、医疗、通讯 等领域创新应用关键技术，有机发光二极管(oled)材料、器件...1.1.6 高效照明产品及系统发光二极管(led)用大尺寸开盒即用蓝宝石、碳化硅等衬底、 高纯金属有机化合物(mo 源)、高纯氨气、新型高效荧光粉等开发及制造技术，生产型金属有机源化学气相沉积设备(mocvd

来源：国际电子商情2012-03-26

而由于欧洲光伏市场的大幅衰退，小功率的高压mos管、碳化硅二极管、旁路二极管、单管igbt、小功率igbt模块、三电平模块、膜电容、电解电容等短期都会出现供大于求的局面。...这些器件多是欧美的生产制造商提供，其产品本身原材料的供应也比较紧张，中国3gw的量可能会造成市场一定时间内的供货短缺。

来源：国际电子商情2012-01-06

作为全球功率半导体的领军企业，英飞凌的coolmos、optimos、igbt和碳化硅等功率器件，多年来因其稳定、突出的能效而备受电力电子行业推崇，将迎合上述系统要求而大显身手。...对于太阳能光伏发电，功率器件的效率更重要，它们也在不断发展中，如构槽栅场终止技术fieldstopigbt、highspeed3igbt、coolmos、碳化硅二极管sic在高能效的太阳能逆变器有出色的表现

来源：工人日报2011-12-14

殷承良认为，在电动汽车非常重要的零部件功率器件上，国内基本上没有布局，他希望以后的碳化硅新型的器件，应该从产业链上抓布局。

来源：icbuy亿芯网2011-10-13

碳化硅功率器件市场领先者科锐公司继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比，科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性，并为能源效率建立新的标准。

来源：搜狐IT2011-06-15

随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。...目前逆变器会根据不同功率采用igbt、mosfet和高速二极管作为功率变换的主要器件，市场要求这些器件具有更低的传导损耗与开关损耗及高可靠性等优点。

来源：EDN电子设计技术2011-06-01

碳化硅肖特基二极管thinq!——采用to封装的高能效1200v器件随着时间的推移，英飞凌推出的第二代碳化硅肖特基二极管，已经成为不成文的行业标准。...英飞凌科技副总裁兼电源管理和分立式器件业务部总经理andreas urschitz表示：“利用英飞凌节能半导体解决方案，最多可将全球总能耗降低25%。

来源：中国传动网2010-12-13

2、碳化硅功率器件sic（碳化硅）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，在电力电子方面也是很重要的，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

来源：互联网2010-06-13

新一代的igbt、igbt模块、mosfet和碳化硅二极管的使用，使效率的标杆正在不断被刷新。”他说。　　　　...“随着单机功率增大，太阳能逆变器受技术和器件限制，电路形式主要是单一的三相逆变桥，提高能源效率的重任就落在了功率器件上，因此，其器件本身的性能和设计使用是关键。

来源：互联网2010-04-08

此外，英飞凌的构槽栅场终止技术fieldstopigbt、coolmos、碳化硅二极管sic在高能效的太阳能逆变器也有出色的表现。 ir也是太阳能技术的先驱。...英飞凌为太阳能应用开发了一系列产品，如大功率三电平模块easy和econo4系列，产品范围50a～300a650v；高速igbt和碳化硅二极管primepack模块，规格为600a1200v。

2007-01-23

为了满足牵引驱动设备的性能需求，英飞凌为ihm/ihv b设计了碳化硅铝（alsic）基板,与氮化铝衬底结合使用，可将热循环能力提高10倍。...所有这些交流控制应用都需要一个能够产生大电流和高电压的核心功率器件，目前市场上的核心功率器件主要有mosfet半导体场效应晶体管、双极型功率晶体管和绝缘栅双极型功率晶体管igbt。