类别:保护与控制来源:广州金升阳科技有限公司2015-06-25 14:41:46
低导通电阻rds(on),使sic mosfet具有优越的正向压降和导通损耗性能,更适应高温环境下的工作;2. 优良的输入特性,即sic mosfet拥有低栅极电荷,具备卓越的切换速率;3.
类别:保护与控制来源:广州金升阳科技有限公司2015-06-16 11:44:04
同样例举了fairchild 与apt公司的1200v/20a si igbt系列的电气参数进行比较;通过表格性能对比,可以看出,sic mosfet有三个方面的性能是明显优于si igbt:1.极其低的导通电阻...如果器件工作频率越快,栅极电容的充放电时间要求越短,则要求输入的栅极电容越小,驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压,栅极的驱动电压越高,则mosfet的感应导电沟道越大,则导通电阻越小
类别:来源:中国电力电子产业网2014-06-11 09:32:59
isl85003/3a降压稳压器提供极低的导通电阻rds(on),利用优化的电流模式控制器进一步提升效率和降低管芯温度,从而使复杂系统保持较低温度和防止产品故障。...18vo 连续3a输出电流o 最低为0.8v +/-1%的可调节输出电压o 500khz开关频率可选o 开关频率可外同步至2mhz* 高效率o 效率高达95%o 45m 和65m的低边和高边mosfet导通电阻