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光集成的技术发展方向主要可分为两类:单片集成和混合集成。单片集成是指在半导体或光学晶体衬底上,只经过制作工艺,把所有元件集成在一起,如:PIC 和OEIC技术;而混合集成是指用不同的制作工艺,制作一部分元件后,再组装在半导体或光学晶体衬底上。
以前,Si基的混合集成的实际制作工艺一直是相当复杂的,但近来,一些研究机构针对传统倒装为基础的混合集成工艺作了改善,取得了较大进展。其中,最能引人瞩目的成果有两项:第一项是加州大学Santa Barbara分校与Intel公司合作研究的基于晶片(Wafer)级结合的混合集成器件;第二项是比利时根特(Ghent)大学的基于芯片(Chip)和晶片(Wafer)结合的混合集成器件。
近年来光集成的技术发展,使得其迅速成为光通信领域中非常值得期待的一项平台技术,可望得到极其广泛的应用。
2.5 高速光电互连技术超乎想象
高速光电互连技术通过并行光模块和带状光缆或电缆来实现.并行光模块是基于VCSEL阵列和PIN阵列,波长850nm,适合多模光纤50/125um和62.5/125um。封装上其电接口采用标准的 MegArray连接器,光接口采用标准的MTP/MPO带状光缆。目前比较通用的并行光模块有4路收发和12路收发模块。在当前的市场上,较为常见的高速并行光模块有:4×3.125Gbps (12.5 Gbps)并行光纤模块,应用在如高端计算机系统如刀片式服务器的短距离互连;12×2.725Gbps (32.7Gbps) 并行光纤模块,应用在如高端交换设备中以及背板联接中。并行光模块的应用正在逐渐走向成熟。
当前,超级计算机、云计算、短距离高速数据通信等应用的兴起,直接推动高速光电互连技术的迅猛发展,其市场应用规模及技术发展将会超乎人们的想象。
3 我国光通信有源器件的产业发展
我国从70年代开始从事光电子器件的研究开发和产业化,培养了大批有经验的工程师和技术工人,有源器件方面以WTD等为代表的一批民族企业茁壮成长,与此同时也为外企在国内建立生产基地创造了条件。从2000年以来,外企通过一些方式进入中国,如:一、直接投资,招聘人员,如Oclaro,JDSU等;二、购并国内企业,如Neophotonics购并Photon,MRV购并Fiberxon等;三、通过CM、OEM或ODM等方式建立生产基地。至今可以说,中国已成为国际上最大的光电子器件生产基地,为世界光器件产业的发展做出了巨大的贡献。
就产业规模而言,按生产制造地划分,2008年中国生产制造的光器件已占全球25%的市场份额,其中大陆本土企业的销售约占全球光电元器件市场17%的市场份额;而到2009年,仅大陆本土光器件企业的市场份额就已经增长到全球的26%,市场规模达到约75亿人民币,其中有源部分约51亿,占据了相当大的部分。在全球的中低端光收发模块中,国内企业占据了相对大的比例,根据数据,全球中低端光器件市场上光迅科技与WTD的市场份额已超过三分之一,充分展现了中国品牌的世界影响力。
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