Vishay新款薄膜MELF电阻具有业内最高水平的精度和稳定性

4月10日，市场监管总局等七部门联合印发了《以标准提升牵引设备更新和消费品以旧换新的行动方案》，方案强调坚持标准引领、有序提升，强化标准比对、优化体系建设，要求加快制修订节能降碳、环保、安全、循环利用等领域的标准，推动今明两年完成制修订294项重点国家标准，推动政策和标准更加协同配套，

近日，财政部发布关于向社会公开征求《废弃电器电子产品处理专项资金管理办法（征求意见稿）》意见的函，《办法》共六章、二十三条。文件提到，对2024年及以后年度开展的废弃电器电子产品回收处理，专项资金采取“以奖代补”的方式，按照因素法分配。分配因素所涉行业指标具体如下：相关省废弃电器电子

北极星固废网获悉，3月12日晚间，超越科技公告称，公司实际控制人、董事长高志江被实施留置及立案调查。除高志江外的公司其他全部董事、监事、高级管理人员目前均正常履职。截至目前，公司未收到有权机关对公司的任何调查或者配合调查文件，暂未知悉留置调查的进展及结论。据了解，安徽超越环保科技股

浙江省生态环境厅发布废弃电器电子产品处理发展规划（2023-2030年）征求意见稿，按照“减量化、再利用、资源化”要求，加快回收处理系统和生活系统循环链接，创新“互联网+回收”模式，全面提升资源回收效率，以循环发展推动碳达峰碳中和。到2025年，进一步优化完善覆盖全省的回收体系，从源头防止废弃

2023年8月29日，上海——PCIMAsia国际电力元件、可再生能源管理展览会于8月29-31日在上海新国际博览中心举办。作为高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，纳芯微电子（以下简称“纳芯微”，科创板股票代码688052）围绕光伏、储能、充电桩、工业控制、汽车电子等应用领域，全面展示其在传感器、信号链

北极星电力软件网获悉，6月25日，昆山市人民政府发布关于印发《昆山市制造业发展“十四五”规划》（以下简称《规划》）的通知。《规划》指出，加强能源电子产品布局，太阳能光伏、新型储能电池等研发、生产及产业化进程提速，面向新型电力系统和数据中心、算力中心、电动机械工具、电动交通工具及充换

根据《废弃电器电子产品回收处理管理条例》（国务院第551号令）、《废弃电器电子产品回收处理基金管理办法》（财综〔2012〕34号）、《关于组织开展废弃电器电子产品拆解处理情况审核工作的通知》（环发〔2012〕110号）、《废弃电器电子产品拆解处理情况审核工作指南（2019年版）》（国环规固体〔2019〕

北极星储能网获悉，企查查APP显示，近日，珠海中京新能源技术有限公司成立，法定代表人为杨鹏飞，注册资本4.2亿元，经营范围包含：新兴能源技术研发；电池制造；电池零配件生产；新能源原动设备制造等。企查查股权穿透显示，该公司由中京电子、珠海亿盛科技开发有限公司间接共同持股。一周前，中京电子

为增强居民对生活垃圾分类知识的了解，引导居民参与生活垃圾分类，提高生活垃圾分类投放准确度，制定生活垃圾分类投放指引。具体要求如下：一、可回收物投放指引1.可回收物应尽量保持干燥干净，避免受到污染。2.废纸应保持平整，废纸箱应规整压平。3.快递包装盒去除胶带后投放。4.瓶、罐、盒等立体包装

依据《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》（中华人民共和国主席令第四十三号），现发布《2021年天津市固体废物污染防治公告》。一、工业固体废物（一）一般工业固体废物2021年，我市一般工业固体废物产生量为1927万吨，综合利用1920万吨，综合利用率99.6%。（二）工业危险废物2021年，我市工业危

北极星储能网获悉，5月7日工信部公开对《便携式电子产品用锂离子电池和电池组安全技术规范》等7项强制性国家标准（报批稿）征求意见。其中，《便携式电子产品用锂离子电池和电池组安全技术规范》中规定，便携式电子产品包括：便携式办公产品笔记本电脑、平板电脑等；移动通信产品手机、对讲机等便携式

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 7 月11 日 — 日前，全球分立半导体和无源电子元件的最大制造商之一Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，收购日本的钽电容器制造商Holy Stone Polytech有限公司(“Holy Stone Polytech”)，该公司之前隶属于Holy Stone Enterprise有限公司。按照惯例的结算后调整数，收购价格大约2100万美元。Vishay的执行主席和首席业务发展官Marc Zandman说

2014 年 6 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其光电子产品部发布通过AEC-Q101认证的，工作温度可达+105℃的新款全集成距离和环境光传感器--- VCNL4020X01。该传感器在小尺寸4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形无引线(LLP)封装内集成了一个红外发射器、一个探测距离的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号处理IC和一个16位ADC。这颗三合一传感器具有中断功能，支持I2C总线通信接口，在各种汽车、消费和工业应用中能极大简化窗口和传感器的摆放位置设计。Vishay发布通过AEC-Q

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.)宣布，其QUAD HIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad 2525外形尺寸的器件。QUAD HIFREQ 2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的，具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000，1pF)，低至0.018Ω的超低ESR，直流电压高达3600V。今天发布的V

Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻2014 年 5 月15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度，以及稳健的设计，可直接替换竞争的解决方案。Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻今天发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1kW～6.5kW，适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动、负载测试、加热器和中性点接地应用

精密器件具有10MΩ的高阻值、低至±0.01%的公差和±5ppm/℃的TCR宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列通孔单输入线薄膜电阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用，具有高达10MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800V的高工作电压。今天发布的电阻采用高工作电

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子技术，VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制

原型助手通过AEC-Q200认证，提供TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的E-96系列所有第4档数值。 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常用阻值，严格的电阻公差为

3mm x 3mm封装的集成式microBUCK®器件提供4.5V～15V宽输入电压和可调节输出，效率高达95%。日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款可编程开关--- Vishay Siliconix SiP12109，其频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充了Vishay的microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSF

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的，具有长使用寿命和高纹波电流，在100Hz下的纹波电流达2.80A，工作温度为+105℃，最大ESR低至150mΩ。今天推出的新款Vishay Bccomponents卡扣式电容器采用圆柱形铝外壳和压力释放阀，用蓝色套筒绝缘，有22 x 25 mm～35 x 60 mm等多种外形尺寸。在500V下，器件的最高工作温度为+1

器件导通电阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗。日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要