2006-11-23

联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度，从而将静态ram芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。 　　

2006-10-10

9月28日，芯片制造六大装备中的刻蚀机和离子注入机的采购合同在北京签订，这标志着国产100纳米制造装备初步实现了产业化。

2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　...　　中国863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着中国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

2006-09-14

中国科学院微电子研究所常务副所长叶甜春表示，通过进行科技部“十五”863重大专项“100nm集成电路制造装备”，我国研制出100nm 8英寸高密度等离子体刻蚀机和大倾角注入机试生产样机，实现了我国高端集成电路核心设备零的突破

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。

2006-08-21

传感器 　(1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-03

3.发展重点 3.1 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺

2006-02-09

这样一来，金属薄膜就会在牺牲层刻蚀阶段被一同刻蚀处理掉，因此预先对最终所需要的金属薄膜进行了钝化处理，以确保不被刻蚀处理。试制品使用了台积电的2层聚合物4层金属的0.35μm工艺。

2005-07-21

发展重点 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器

2005-02-04

要刻蚀出宽度仅有人类头发厚度千分之一的电路并非易事，任何一个差错都将给ibm到来万劫不复的灾难。

2004-12-31

三、重点发展的前沿及关键技术 　　1、传感器技术 　　发展重点是： 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器 　　①微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺； 　　②封装工艺：如常温键合倒装焊接

2004-10-15

这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2003-03-22

但每家又都有自己的专长，如东京电子在二氧化硅刻蚀方面做得最好，而应用材料就做金属刻蚀，市场细分的非常厉害。...但也有专家指出，集成电路设备行业是个垄断性行业，例如刻蚀机全球只有两三家公司在做，如应用材料、东京电子等。

2006-12-27

中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

2006-12-20

发展重点 　　传感器技术 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器

来源：《中国电子报》2007-03-14

对用量较大的光刻胶、清洗、刻蚀试剂化学抛光液等，力争在“十一五”期间实现产业化。 　　“十一五”期间，建立完善的集成电路产业链是产业持续健康发展的核心任务。...在6-8英寸用光刻机、刻蚀机、离子注入机、立式扩散炉、快速热处理设备，氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备、划片机、键合机、集成电路自动封装系统等设备实用化的基础上，提供批量供应。