来源：新能量e电工2016-07-15

脱开负载，分别测量各组输出端的对地电阻，正常时，表针应有电容器充放电摆动，最后指示的应为该路的泄放电阻的阻值。加电检测通电后观察电源是否有烧保险及个别元件冒烟等现象，若有要及时切断供电进行检修。

来源：中国新能源网2016-07-04

用稳压二极管箝位或适当数量普通整流二极管串联后并于超级电容器，如图2，在理论上可行，但在实际上会因稳压二极管的稳压值及二极管导通电压随温度变化，而且其伏安特性相对较软，而不符合超级电容器的均压要求，不能使用...基本原理为：当超级电容器c上的电压经r1、r2分压送到放大器a1的同相端，分压值在2.5v以下时，放大器a1输出低电位，q不导通，均压电路特性如图5的a段。

来源：电力合伙人2016-06-20

我们先看两者的共同特征：第一个概念，叫做转换深度：式中的叫做断开或者截止时的电阻，叫做接通或者导通时的电阻，h叫做转换深度对于有触点的开关电器，；对于无触点的电器，正是由于有触点的开关电器，它的转换深度比较高

来源：北极星输配电网2016-05-10

基于 cb 技术的开关响应速度较慢，继电器的开关速度一般在 20ms 到 100ms 之间，但电路设计与控制简单，导通电阻低，价格低廉，因此在对开关速度要求不是很 高的场合被广泛采用。

来源：北极星输配电网2016-04-20

晶体管的典型导通电阻为12.5m或8.5m，取决于其额定电流是100a还是150a。在模块的设计中还特别注意了热工方面的问题。

来源：电工之家2016-04-01

5、接触器(contactor)的触头接触不牢靠的原因及处理方法触头接触不牢靠会使动静触头间接触电阻增大，导致接触面温度过高，使面接触变成点接触，甚至出现不导通现象。...其原理是当接触器的电磁线圈通电后，会产生很强的磁场，使静铁心产生电磁吸力吸引衔铁，并带动触头动作：常闭触头断开；常开触头闭合，两者是联动的。

来源：元器件交易网2016-01-05

电路中mosfet选用了irf4310，该mosfet导通电阻仅为7k，通流能力可达140a。...ch和disch在正常工作时置为低电平，此时m1和m2均导通。当出现放电过流或者过放电状态，disch 置为高电平，此时q2断开，q3导通，将m2栅极电容的电荷迅速放电，使m2能瞬间关闭，完成保护。

来源：中国电力报2015-12-03

sic变流器导通电阻小，可在200摄氏度以上的高温下工作，能够实现变流系统低谐波、高能效、轻量化，从而降低轨道交通的电力能耗。...谐振电容器中的损耗不容忽视，随着超导电力技术的进步，业界不断探索使用超导材料做电容器，超导材料的交流损耗远小于常规材料的电阻。实验证明，相比采用常规谐振电容器，采用超导谐振电容器的传输效率更高。

来源：电子产品世界2015-10-10

这是adg1434、adg1436这类模拟开关的应用中第一个提到的字眼，由于其很好的导通电阻、隔离度及封装体积小，深得设计者的亲睐。...以我们的设计器件选型为例，我们开始选用继电器实现系统中信号的切换，在改版时考虑到体积问题，于是考虑换成模拟开关，在选择模拟开关时，主要还是从导通电阻、隔离度还有体积考虑，再加上当时adg1434和adg1436

来源：电动汽车资源网2015-09-30

上面的分析是静态的，下面讨论开关转换的动态过程：三极管导通电阻远小于2千欧，因此三极管由截止转换到导通时场效应管栅极电容上的电荷可以迅速释放，场效应管迅速截止。...但是三极管由导通转换到截止时场效应管栅极通过2千欧电阻充电却需要一定的时间。相应的，场效应管由导通转换到截止的速度要比由截止转换到导通的速度快。

来源：电工学习网2015-08-04

(2) 一台beltro-vert 2.2kw变频通电就跳oc且不能复位。分析与维修:首先检查逆变模块没有发现问题。...分析与维修:打开机器初步在线检查逆变模块(6mbi50n-120)没发现问题，测量6路驱动电路也没发现故障，将其模块拆下测量发现有一路上桥大功率晶体管不能正常导通和关闭，该模块已经损坏，经确认驱动电路无故障后更换新品后一切正常

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-25

低导通电阻rds(on)，使sic mosfet具有优越的正向压降和导通损耗性能，更适应高温环境下的工作;2. 优良的输入特性，即sic mosfet拥有低栅极电荷，具备卓越的切换速率;3.

来源：eeworld2015-06-24

意法半导体最新的碳化硅功率mosfet具有优异的能效和可靠性，为公司的产品阵容增加了导通电阻不同的新产品。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

同样例举了fairchild 与apt公司的1200v/20a si igbt系列的电气参数进行比较;通过表格性能对比，可以看出，sic mosfet有三个方面的性能是明显优于si igbt：1.极其低的导通电阻...如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小

来源：eefocus2015-05-20

导通电阻和导通漏电流最大值分别为2q、100 na，较低的导通电阻和较宽频带(一3 db带宽为1o0mhz)使得其非常适合于数字和模拟信号切换场合的应用。...为了降低测量误差，分压电阻r1～r5均选用误差为0.5% 的精密金属膜电阻。

来源：中国电力电子产业网2015-05-06

继电器的导通电压极低(通常是在1-2v之间，是双向晶闸管的电压降);- 最后，应在继电器线圈上电至少1至2个周期后撤消双向晶闸管栅电流，为继电器在双向晶闸管关断前开始运行提供充足的时间。...当光耦双向晶闸管激活时(即当微控制器的i/o引脚置高电平时)，通过电阻r1施加双向晶闸管栅电流。

来源：OFweek 电子工程网2015-05-04

继电器的导通电压极低(通常是在1-2v之间，是双向晶闸管的电压降);- 最后，应在继电器线圈上电至少1至2个周期后撤消双向晶闸管栅电流，为继电器在双向晶闸管关断前开始运行提供充足的时间。...当光耦双向晶闸管激活时(即当微控制器的i/o引脚置高电平时)，通过电阻r1施加双向晶闸管栅电流。

来源：中国节能在线2015-02-27

晶闸管导通电压降约为1v左右，损耗很大(以额定容量100kvar的补偿装置为例，每相额定电流约为145a，则晶闸管额定导通损耗为14513=435w)，必须使用大面积的散热片并使用通风扇。

来源：微电网论坛微信2014-12-22

mg2300快速开关的特点：动作时间短，小于5ms;能够耐受故障条件下的短路电流较高的可靠性和较小的导通电阻寿命长、成本低机械操控，具有明显、可靠的电网隔离断开点 。...微电网的应用急需能够满足微电网需求的快速开关 ：动作时间短，小于5ms;能够耐受故障条件下的短路电流较高的可靠性和较小的导通电阻二、满足微电网需要的新型快速开关：针对微电网并网带来的主要问题和基本要求，

来源：甘肃电投鼎新风电有限责任公司2014-08-21

晶闸管导通电压降约为1v左右，损耗很大(以额定容量100kvar的补偿装置为例，每相额定电流约为145a ，则晶闸管额定导通损耗为14513=435w，必须使用大面积的散热片并使用通风扇。