2004-10-26

其中一大变化将是提高硅半导体的性能，并最终不用硅半导体制造芯片，2014年以前，芯片可能将包含碳纳米管半导体或碳纳米线半导体，到了2020年，将会出现更剧烈的变化。 　　

2004-10-19

有人预计明年会转向0.18微米，尽管这与已经进入90纳米(0.09微米)时代的cpu制造工艺相比还差着一个数量级，但包括欧胜在内的业内巨擘都对此预言持保守态度。 　　...同样地，今天的混合信号产品提供商多数是“卖硅的”，几乎没有“卖纸”的了。 　　

2004-09-28

新工艺将基于两家半导体制造商在先进结构和材料方面的经验，如绝缘硅晶体管、铜互连和改进的低k介电绝缘。...据称，如果amd与ibm在协议期间合作开发32纳米技术，则该技术将会授权给该公司。此外，amd还得到ibm的许可，在第三方代工厂或合资制造厂采用90纳米和65纳米生产产品。

2004-08-18

光刻是芯片制造中最关键的制造工艺，它能将设计好的电路“刻”到硅晶体上，就好像用微型画笔在硅晶体上绘制微细线条一样。半导体工业的精髓也正在于此。...当硅晶片被依次铺上绝缘层、光刻胶以及光刻掩膜之后，紫外线就能透过掩膜并按照人们的意愿在硅片上画线(也被业内人士形象地称作“印刷”)，最终通过一些化学处理在硅晶片上形成裸露的电路。 　　

2004-08-16

soc时代的呼唤　　 集成电路产业发展到现在，其设计已经进入到纳米级，进入到全新的soc(系统级芯片)时代，集成电路ip问题可以说已经成为继eda工具之后又一个制约我国集成电路设计产业发展的瓶颈...在集成电路的设计和研制中，ip或sip(硅知识产权模块)概念已经使用了将近20年，应该说标准单元库就是ip的一种形式，foundry(代工线)为扩大业务，便以精心设计并经过工艺验证的标准单元吸引ic设计公司成为它的客户

2004-07-06

科学家希望这一比例能够上升至20%，那时它的效率就比市场上的硅太阳能电池还要好了。...他们的研究成果发表在《纳米通讯》上。 　　这是一种基于生物学的太阳能电池，其工作原理是把光能转化成电能。

2004-07-02

美国马里兰大学的米歇尔·富赫在测量碳纳米管中的电子迁移率时首次发现，碳纳米管在室温下的电子迁移率是所有半导体中最高的，比硅半导体快50倍。...因此碳纳米管要想在计算机中完全取代硅半导体，还会遇到许多挑战，尤其是要设法降低成本。

2004-05-19

millipede芯片采用硅微加工技术(silicon micromachining technique)，精确移动涂敷有聚合物薄膜的硅衬底，该衬底位于1024个独立寻址的20纳米读写头下部，读写头也由硅蚀刻而来

2003-12-12

该技术利用某种高分子具有的自组装特性，形成了采用现有光刻技术的微加工技术无法形成的纳米级电路图案。与光刻法相比，“可形成更小、密度更高、精度更高的均匀的电路图案”（ibm）。 　　...（3）通过对硅材料进行成膜和蚀刻处理，形成硅微结晶图案（见图1-c）。 　　ibm预测，今后3～5年内将可以在试制水平上使用该技术。

2003-11-05

此外，上海先进、上海贝岭、深圳深超、深圳纳米科技、北京中芯、杭州士兰和成都国腾等项目也已经开始进行前期论证，可望在1－3年后建成投产。...因此，多数企业建设新生产线时，均选择在设备价格较低的下降期开工，这样项目建成投产时可以赶上硅周期的上升期。

2003-08-13

特许半导体、ibm和英飞凌在一份共同声明中表示，他们正致力加速开发65纳米芯片，研发工作将在ibm于纽约州新设立的开发实验室进行；并强调，将利用各家公司的专长，包括英飞凌的省电硅芯片技术和ibm领先的处理技术

2003-06-23

ibm日前宣布，其研究人员采用130纳米1.5v cmos工艺集成了一片10gbps的硅光电检测器，打开了一条芯片到芯片和板到板光互连的通途。...她表示，由于该检测器是按常规硅cmos工艺加工的，与砷化镓检测器的成本相比，缩减幅度相当大。

2003-05-13

从2000年起，ibm开始大批推出采用铜芯片的产品，如rs/6000的x80系列产品，ibm也因此成为世界上首家铜芯片生产厂商和首家应用硅绝缘体来提高芯片性能和降低芯片功耗的厂商。...去年12月16日，ibm开始研制其第一个90纳米（0.09微米）芯片，也使其与intel同时成为第一批90纳米芯片制造商。

2003-05-06

这样就使得纳米管led与目前的硅电路线有机地组合到一起成为了可能。 ibm的这种新技术很有可能使纳米管在2015年之前就用于商用芯片制造领域。

来源：发改委网站2007-08-21

复强动力公司采取纳米电刷镀、高速电弧喷涂、微脉冲冷焊、粘涂等先进表面工程技术，对发动机缸体、曲轴、连杆等10多种零件进行再制造，使再制造发动机零部件达到原配合公差要求，再制造发动机性能指标与新机出厂指标相同...十多年来，力诺集团为全国太阳能企业提供了60%的高硼硅管，70%的中高端太阳能集热管。力诺集团还积极投身于新农村建设，实施了“万户阳

来源：《中国电子报》2007-03-14

增强关键设备和材料开发能力 　　重点开发12英寸硅抛光片和8英寸、12英寸硅外延片，锗硅外延片，soi材料，宽禁带化合物半导体材料，新型互连材料等材料；努力掌握6-8英寸集成电路设备的制造技术；力争实现

来源：《中国电子报》2007-03-07

未来全球对12英寸硅抛光片的需求将以两位数速度增长，预计今年市场需求将达到2000万片。 　　有研硅股负责人表示，目前，国际集成电路规模化生产已经开始采用65纳米技术，纳米尺度的

2007-01-30

实际上，在此之前分析家一致认为45纳米技术将不在根植于当年的技术标准，例如硅芯片平台。而英特尔和ibm日前发布的新技术打消了这种顾虑。...　　蓝色巨人ibm日前宣布，已经成功开发出最新晶体管技术，该技术将使得45纳米芯片生产成为可能，实际上两天之前芯片巨头英特尔刚刚发布45纳米技术处理器。 　　

2007-01-29

现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。...研究人员认为，通过英特尔和ibm研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。

2007-01-17

另外,ibm公司利用异晶向技术开发出65纳米快速cmos工艺。其在硅110面形成pmos晶体管，在硅100晶面上形成nmos管。...在nmos管部分采用了具拉伸力的应变硅，在pmos管部分采用了sige。美国intel公司开发出低功耗的65纳米工艺。其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。