来源：日中环保生态网2011-09-07

210w系列通过细化位于太阳能电池单元受光面、名为栅极电极的集电电极，使其比原有产品细20％，扩大了受光面积，提高了输出性能。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-17

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。...主要应用 应用于半桥和全桥转换器以及变频器或逆变器的栅极驱动电路的耦合。主要特点和优势 体积仅8.1 x 6.7 x 5.4 立方毫米 寄生电容低至25至95 pf主要数据

来源：www.21dianyuan.com2011-08-10

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。...主要应用应用于半桥和全桥转换器以及变频器或逆变器的栅极驱动电路的耦合。 主要特点和优势●体积仅8.1 x 6.7 x 5.4 立方毫米 ●寄生电容低至25至95 pf 主要数据

来源：Semi2011-06-30

mark bohr称，如果英特尔采用超薄衬底的soi晶圆来实现3-d 三栅极晶体管，其晶圆的成本将增加10%。...mark bohr在5月份英特尔推出22纳米3-d 三栅极晶体管技术时表示，超薄衬底的soi晶圆非常昂贵而且很难找到货源。

来源：EDN电子设计技术2011-06-01

对于诸如面向电信应用的隔离式dc-dc电源转换器，以及太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的mpp追踪器等快速开关应用而言，很低的栅极电荷(qg)意味着最低的开关损耗。

来源：Cnet2011-05-31

sadoway教授和他的团队一直在研究一种稳定，低廉，大型号的栅极电池，并且他们研制的电池体型越来越大以证实这一理念——从子弹杯大小，到冰球大小，到比萨饼大小，最终到乒乓球球桌大小。...sadoway告诉我们之所以他会选择用液态金属来制造栅极电池，是因为他认为基于液态金属电极的电池更稳定，而且形状大小可任意调节，只要成本适当就行。“现在我们首要的难题就是开发成本太高。

来源：www.21dianyuan.com2011-05-31

650v coolmos cfd2集快速开关超级结技术mosfet的优越性于一身，包括更出色的轻载效率、更低栅极电荷、易于应用和出众的可靠性等。

来源：电源网2011-03-28

一 推挽逆变器的原理分析主电路如图1所示：q1，q2理想的栅极(ug1,ug2)漏极(ud1,ud2)波形如图2所示：实际输出的漏极波形：图3从实际波形中可以看出，漏极波形和理想波形存在不同：在...考虑到漏感这个因素我们画出推挽电路主电路等效的原理图如图4所示：从图4中可以看出l1,l2就等效于变压器初级两边的漏感，我们来分析一下q1导通时的情形：当q1的栅极加上足够的驱动电压后饱和导通，电池电压加到漏感

来源：互联网2011-03-24

开关管的栅极驱动信号来源于mr16单片机产生的spwm波经驱动电路后的信号。全桥逆变的输出为高频spwm波，经变压器升压及滤波后即得到220v、50hz的标准正弦交流电压。

来源：赛迪网2011-03-18

与 ab 级替代产品相比，该栅极双端口 ths6226 线路驱动器功耗锐降 47%，可充分满足高速宽带网络中高密度 vdsl 应用的需求。

来源：太阳能新闻网2011-03-09

杜邦此次推出的solamet pv17x系列产品，与高速印刷制程相容，有更佳的接触电阻与栅极电阻，solamet pv17x是杜邦众多且快速扩张的产品组合中，可使结晶矽太阳能电池的转换效率，在2012年达到超过

来源：中投证券电力设备行业研究主管2010-11-30

我国变频器生产企业基本没有掌握核心技术，在高压变频器领域，基本上只掌握了低压变频的集成技术，核心器件比如igbt(绝缘栅极晶体管)、电容等关键器件仍然需要进口，控制技术方面，国内企业基本掌握了矢量控制，

来源：电气中国2010-11-16

我国变频器生产企业基本没有掌握核心技术，在高压变频器领域，基本上只掌握了低压变频的集成技术，核心器件比如igbt（绝缘栅极晶体管）、电容等关键器件仍然需要进口，控制技术方面，国内企业基本掌握了矢量控制，

来源：互联网2009-09-28

该款pmic采用maxim专有的高压bicmos工艺设计，集成了一路升压调节器、3路大电流运算放大器、一个vcom校准器、用于栅极开启和栅极关闭电源的线性稳压器以及6通道电平转换器，能够满足基于gip的

来源：互联网2009-09-27

ir公司还开发了一种低栅极电荷（qg）的hexfet，使开关速度更快，同时兼顾通态电阻和栅极电荷两者同时降低，则r×qg的下降率为每年30%。

来源：维库开发网2009-09-27

在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合，设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。...同时，通过控制mosfet栅极信号电流可以降低器件的切换速率，从而降低电磁干扰(emi)。 　　6.spice模型 　　采用一个专用的模型可以进行逐周期的瞬态仿真，同时也可用于闭环仿真。

来源：中国商务部网站2009-08-18

农村电气化局执行主任称，为支持发展乌能源机构，其建立农村电气化基金，向私营机构项目发展商提供资金补贴、发展公共财政项目、为栅极接线或太阳能发电系统入网提供一次性消费前补贴。

来源：中国电力新闻网2008-08-04

在晶体管制程方面，45纳米、高-k金属栅极硅制程技术使得intel能够制造更快、更“酷”的环保型处理器。戈登?摩尔对45纳米技术大加赞赏。

2006-06-13

英特尔公司将在这次会议期间阐述由它开发的三栅极晶体管。据英特尔公司组件研究部门的主管迈克表示，在能耗量相同的情况下，三栅极晶体管的性能将提高35%。...虽然这样的原型产品已经被开发出来，但三栅极晶体管不会被应用在英特尔公司的0.045微米工艺中。他表示，我们认为0.032微米和0.022微米工艺用上三栅极晶体管还是很有机会的。

2005-12-06

其发展的方向是损耗更低,开关速度更快、电压更高,容量更大(3.3kv、 1200a), 目前，采用沟道型栅极技术、非穿通技术等方法大幅度降低了集电极一发射极之间的饱和电压的第四代igbt也已问世。