2004-12-10

　　cmos图象传感器的主要开发商ic media公司日前宣布：该公司已成功开发出业界首个使用2.575 x 2.575微米像素的cmos图象传感器。...该传感器是在umc（纽约证券交易所：umc）制造的，使用了他们最先进的cmos图像传感器工艺。

2004-10-26

英特尔技术战略负责人保罗-加齐尼表示：“在2010年以前，我们将在由什么技术接替cmos的问题上有很好的想法。” 　　从六十年代到现在，芯片设计人员一直在通过缩小半导体提高芯片性能。

2004-10-21

g-plus的产品包括高线性度和高输出功率放大器、直接转换cmos rf收发器、数字modem芯片组、合成器(synthesizer)和开关(switch)。 sst正在努力开拓新的市场。

2004-10-20

cmos图像传感器单位出货量在2005年将第一次超过ccd。直到2008年，cmos图像传感器出货量将以大约7倍ccd的增长率增长。...与ccd相比，cmos传感器提供了更低的价格、更小的功耗以及在芯片上集成其他功能的能力。这些优势在摄像手机市场是很重要的。cmos传感器在玩具相机、网络摄像机和双模式相机等市场也受到了欢迎。 　　

2004-10-12

magnachip在其广泛的知识产权组合中拥有15,000多项专利，涉及显示驱动、cmos图像传感器以及应用解决方案处理器业务。...该公司开发、生产和分销系统集成电路芯片，主要致力于显示驱动集成电路、cmos影像传感器与应用解决方案处理器，并经营代工厂业务，2004年全年有望实现销售额10亿美元。

2004-10-08

赛普拉斯半导体公司于日前宣布：其近期收购的fillfactory nv公司已开始向客户提供lupa-4000-m cmos图像传感器样品。...fillfactory的cmos图像传感器将有效地使低功耗存储器的领先供应商——cypress在蜂窝电话市场上的产品销售额翻一番。

2004-08-31

受市场需求的影响，自2003年以来，用于可拍照手机和数码相机的cmos和ccd图像传感器持续供不应求， ccd/cmos市场规模迅速扩大，主要ccd/cmos厂商纷纷增产因应。

2004-08-31

其中，上海新进为双极型工艺，其余5条均为cmos工艺。而5英寸线已投产的有7条：上海先进、无锡华润、无锡58所、绍兴华越、北京的清华大学、吉林华微和杭州士兰。

2004-08-30

该设计包括两个旋转刀片部分和一个框架，它使用四个发动机，带有一台100,000像素的cmos图像传感器，一个锂离子电池和带有两个微控制器的电路板，包括爱普生公司的32位risc处理器s1c33系列和片上传感器

2004-08-17

cmos工艺技术制造的集成湿度传感器已经成为当前研究的热点。...3.cmos工艺兼容 　　目前，国外在研究二次集成技术的同时，集成智能传感器在工艺上的研究热点集中在研制与cmos工艺兼容的各种传感器结构及制造工艺流程，探求在制造工艺和微机械加工技术上有所突破。 　　

2004-08-12

在其中一篇技术论文中，st首次展示了一个可以降低单元电流的微沟道单元结构，该结构能够轻松集成到一个cmos基本工艺中，并详细介绍了这项技术的可制造性和成本。...结果形成一个可以兼容采用相技术的最好的nor闪存单元的单元面积(采用180nm cmos工艺的0.32平方微米)，同时还提供以下优点如单一位粒度、较快写入、极高耐用性和更高的可伸缩性。

2004-07-09

本月早些时候，nanotech称获得了英特尔0.35和0.25微米cmos制程技术，这个合作在一年前就在制定，几个月前签署，直到现在才公开。

2004-06-24

与需要使用专门的cmos生产工艺的闪存不同的是，mram可以使用标准的cmos工艺生产。如果良品率足够高，这将降低mram的生产成本。 　　

2004-02-20

为了减小耗电量，采用了0.25μm工艺的硅锗双极cmos技术。蓝牙和ieee802.11b的最小接收灵敏度分别为-91dbm、-86.5dbm。iip3（第三阶输入截取点）为-13dbm。

2004-02-06

但总体上，cmos器件每两或三年经受的70%的尺寸缩减已无法再体现出相应的性能提升。...ibm院士jim kahle在最近的2004年第十九届国际数字系统规范和综合时序问题工作组大会(2004 tau workshop)的主题演讲上表示，随着业内越来越难以从cmos scaling

2003-12-30

另外，该公司通过在一个晶圆上结合2种硅基层，成功地开发了空穴迁移率比利用原来技术生产的cmos高出1.5倍的元件，利用这项技术可将cmos性能提高40%-50%。...一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(soi)相结合的ssdoi技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(cmos)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。　　

2003-11-25

研究人员声称创造了光纤和cmos光波导之间信号耦合达24 db/cm的低损耗记录，这一研究成果发表于期刊optics express上。 该结构在用于cmos-soi工艺的绝缘硅层内构建。

2003-10-09

目前，该技术主要用来制造高性能的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管，这种晶体管是计算机中执行计算任务的微处理器的基础。

2003-09-25

该芯片集成基带/mac和2.5ghz/5ghz射频器件，使用0.18微米射频cmos工艺，将由台积电代工制造。该公司表示，样片已经发送给客户，在第四季度有望实现量产。

2003-09-15

而hot技术可在一片cmos晶圆上结合两层衬底，ibm表示，该技术可使芯片的性能提高40%-50%。