北极星
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      2004-12-10

        cmos图象传感器的主要开发商ic media公司日前宣布:该公司已成功开发出业界首个使用2.575 x 2.575微米像素的cmos图象传感器。...该传感器是在umc(纽约证券交易所:umc)制造的,使用了他们最先进的cmos图像传感器工艺。

      2004-10-26

      英特尔技术战略负责人保罗-加齐尼表示:“在2010年以前,我们将在由什么技术接替cmos的问题上有很好的想法。”   从六十年代到现在,芯片设计人员一直在通过缩小半导体提高芯片性能。

      2004-10-21

      g-plus的产品包括高线性度和高输出功率放大器、直接转换cmos rf收发器、数字modem芯片组、合成器(synthesizer)和开关(switch)。 sst正在努力开拓新的市场。

      2004-10-20

      cmos图像传感器单位出货量在2005年将第一次超过ccd。直到2008年,cmos图像传感器出货量将以大约7倍ccd的增长率增长。...与ccd相比,cmos传感器提供了更低的价格、更小的功耗以及在芯片上集成其他功能的能力。这些优势在摄像手机市场是很重要的。cmos传感器在玩具相机、网络摄像机和双模式相机等市场也受到了欢迎。   

      2004-10-12

      magnachip在其广泛的知识产权组合中拥有15,000多项专利,涉及显示驱动、cmos图像传感器以及应用解决方案处理器业务。...该公司开发、生产和分销系统集成电路芯片,主要致力于显示驱动集成电路、cmos影像传感器与应用解决方案处理器,并经营代工厂业务,2004年全年有望实现销售额10亿美元。

      2004-10-08

      赛普拉斯半导体公司于日前宣布:其近期收购的fillfactory nv公司已开始向客户提供lupa-4000-m cmos图像传感器样品。...fillfactory的cmos图像传感器将有效地使低功耗存储器的领先供应商——cypress在蜂窝电话市场上的产品销售额翻一番。

      2004-08-31

      受市场需求的影响,自2003年以来,用于可拍照手机和数码相机的cmos和ccd图像传感器持续供不应求, ccd/cmos市场规模迅速扩大,主要ccd/cmos厂商纷纷增产因应。

      2004-08-31

      其中,上海新进为双极型工艺,其余5条均为cmos工艺。而5英寸线已投产的有7条:上海先进、无锡华润、无锡58所、绍兴华越、北京的清华大学、吉林华微和杭州士兰。

      2004-08-30

      该设计包括两个旋转刀片部分和一个框架,它使用四个发动机,带有一台100,000像素的cmos图像传感器,一个锂离子电池和带有两个微控制器的电路板,包括爱普生公司的32位risc处理器s1c33系列和片上传感器

      2004-08-17

      cmos工艺技术制造的集成湿度传感器已经成为当前研究的热点。...3.cmos工艺兼容   目前,国外在研究二次集成技术的同时,集成智能传感器在工艺上的研究热点集中在研制与cmos工艺兼容的各种传感器结构及制造工艺流程,探求在制造工艺和微机械加工技术上有所突破。   

      2004-08-12

      在其中一篇技术论文中,st首次展示了一个可以降低单元电流的微沟道单元结构,该结构能够轻松集成到一个cmos基本工艺中,并详细介绍了这项技术的可制造性和成本。...结果形成一个可以兼容采用相技术的最好的nor闪存单元的单元面积(采用180nm cmos工艺的0.32平方微米),同时还提供以下优点如单一位粒度、较快写入、极高耐用性和更高的可伸缩性。

      2004-07-09

      本月早些时候,nanotech称获得了英特尔0.35和0.25微米cmos制程技术,这个合作在一年前就在制定,几个月前签署,直到现在才公开。

      2004-06-24

      与需要使用专门的cmos生产工艺的闪存不同的是,mram可以使用标准的cmos工艺生产。如果良品率足够高,这将降低mram的生产成本。   

      2004-02-20

      为了减小耗电量,采用了0.25μm工艺的硅锗双极cmos技术。蓝牙和ieee802.11b的最小接收灵敏度分别为-91dbm、-86.5dbm。iip3(第三阶输入截取点)为-13dbm。

      2004-02-06

      但总体上,cmos器件每两或三年经受的70%的尺寸缩减已无法再体现出相应的性能提升。...ibm院士jim kahle在最近的2004年第十九届国际数字系统规范和综合时序问题工作组大会(2004 tau workshop)的主题演讲上表示,随着业内越来越难以从cmos scaling

      2003-12-30

      另外,该公司通过在一个晶圆上结合2种硅基层,成功地开发了空穴迁移率比利用原来技术生产的cmos高出1.5倍的元件,利用这项技术可将cmos性能提高40%-50%。...一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(soi)相结合的ssdoi技术,另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(cmos)时,在同一晶圆上使用2种硅基层。  

      2003-11-25

      研究人员声称创造了光纤和cmos光波导之间信号耦合达24 db/cm的低损耗记录,这一研究成果发表于期刊optics express上。 该结构在用于cmos-soi工艺的绝缘硅层内构建。

      2003-10-09

      目前,该技术主要用来制造高性能的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管,这种晶体管是计算机中执行计算任务的微处理器的基础。

      2003-09-25

      该芯片集成基带/mac和2.5ghz/5ghz射频器件,使用0.18微米射频cmos工艺,将由台积电代工制造。该公司表示,样片已经发送给客户,在第四季度有望实现量产。

      2003-09-15

      而hot技术可在一片cmos晶圆上结合两层衬底,ibm表示,该技术可使芯片的性能提高40%-50%。   

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