来源：国际能源网　2008-02-15

目前，精硅供应短缺限制了太阳能板的生产。布拉德福德认为，这种状况几年后将会改变。...他写到，建设大型风电或地热发电设施都需要配套基础设施，用这两种方式发电的至少一半资金都要用在输电和配电上。而用太阳能发电，无需电网就能把电直接传输给终端用户，所需费用只是给住户安装设备的开销。

来源：www.chinapower.com.cn2008-01-17

1998年之前，太阳能电池用硅主要来自于半导体...按现在的消耗量，到2010年，全球将消耗掉从经济成本和技术角度考虑都较容易开发的全部石油储量的一半。

2006-09-07

无论在测量速度、精确度、灵敏度、自动化程度和性能价格比等方面，智能仪器都具有传统仪器所不能比拟的优点。...智能化光仪器仪表产品不胜枚举：由硅制成的微传感器可按需要把信号放大、处理及控制集成到一块硅芯片上，做成新型变送器。利用嵌入式芯片和软件做成具有推理、学习、联想功能的智能化仪表。

2005-11-21

在美国联邦通信委员会(fcc)决定加快美国向数字电视的过渡之后，新电视机中安装数字电视调谐器已经成为对消费电子制造商十分明确的规定。 　　...芯片研发卡位加强 　　目前，厂商在进行家用影音娱乐设备定义方面，对观赏距离等方面都进行了深入分析，一般意义上来说，通过电视连接宽带或家庭电脑观看内容，控制与观看的距离为10英尺；在台式机和笔记本电脑上，

2005-10-08

其中，以lcd驱动ic产品线为主的联咏及硅创，初估8月营收分别达22亿～23亿元与3.3亿～3.4亿元，9月在客户订单持续增加情况下，单月业绩将保持持续增长势头。 　　...加上产品开发周期较长，每个ic设计方案都需要两年左右的研发时间，让台湾消费类ic设计业者自2003年以来面临着成长缓慢的困境，甚至2005年还进一步出现衰退的危机。 　　

2005-09-23

他分析认为，被叫停的不一定都是散乱差的电站项目，有一些项目在区域分布的选址以及前期的规划、评估等方面都还是不错的，可能是由于在审批环节上没有履行正常的程序和手续，也可能在技术方面如环保要求、节能降耗等方面没有达到要求

2005-08-19

他说，大多数的设计都需要数年的时间。 　　英特尔公司是在2004年5月份公开宣布中止二个单内核芯片项目后开始考虑smithfield项目的。...pentium d芯片由集成在一块儿硅片上的二个pentium 4内核构成，这种设计造成了一些问题，使得二个内核无法进行有效的协调。这种设计造成了必须克服的信号问题。

2005-08-08

而新兴ic设计公司硅创，在mp3 player与手机应用...不过，美林证券最近报告中表示，第三季度属消费性ic与光储存旺季均为传统旺季，但凌阳相关的lcd驱动ic、微控制器(mcu)、多媒体产品线状况都不甚理想，因此美林对凌阳第三季度营运看淡。 　　

2005-07-01

　　日前，由国家发改委牵头制定的新“18号文”——《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》已经制定完毕，“我国的芯片产业将迎来新一轮的发展高潮，而上海将凭借此机会成为我国芯片产业的中心城市”。...另据国际半导体设备暨材料协会对中国芯片生产商排名显示，除有研半导体材料股份有限公司位于北京、麦斯克电子材料有限公司位于河南洛阳外，宁波立立电子、上海申和热磁电子、上海合晶硅材料有限公司、万向硅峰电子股份限公司均在大上海范围内

2005-01-24

硅铁也是耗能大户，一座年产1万吨的硅铁厂，要消耗1亿多千瓦时电力。而仅西部一个省就有近100家硅铁厂。可见高耗能产业的确是拉动电力快速攀升的引擎。 　　...建设狂潮带来新忧虑 　　电力缺口如此巨大自然会刺激电力建设出现一轮新高潮。 　　电力市场和其他市场一样，市场需求信号会影响到投资。

2004-10-19

有人预计明年会转向0.18微米，尽管这与已经进入90纳米(0.09微米)时代的cpu制造工艺相比还差着一个数量级，但包括欧胜在内的业内巨擘都对此预言持保守态度。 　　...有专家预测：未来新功能的大量需求和对原有功能越来越高的要求，相对短缺的人才和数量相对少的厂商，相对落后的制造工艺，这三大因素决定了混合信号产品将成为阻碍数码产品进步的最小的那块短板。 　　

2004-08-16

希望ip的重复使用成为必然，因为ip的重复使用使设计能力大幅度提高，从而带动电子学和半导体工业的新革命。...事实上，今天大多数的soc大量沿用以前设计的模块，并且对集成电路ip进行复用，而芯片上只有一小部分逻辑是新定制开发的。

2003-05-08

大多数炼油厂都建有催化裂化(fcc)装置，将重质馏分转化为石脑油和轻循环油(lco)，分别用以生产汽油和柴油。...目前正在开发的清洁燃料生产技术是被称为选择性吸附脱硫(sars) 的工艺，该工艺使用基于过渡金属的吸附剂，负载在多孔固体载体上，如mcm-41硅铝酸盐分子筛。

2007-01-23

所有这些交流控制应用都需要一个能够产生大电流和高电压的核心功率器件，目前市场上的核心功率器件主要有mosfet半导体场效应晶体管、双极型功率晶体管和绝缘栅双极型功率晶体管igbt。...例如，三菱电机公司将带来其第五代高性能、小型化、低损耗智能功率模块(ipm)，它的主要特点有：采用第5代新沟槽型igbt(绝缘栅双极晶体管)硅片，绝缘电压最高达2500v，其功耗比第一代产品降低70%，