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IBM可能在先进集成电路中放弃使用低k材料

2003-04-25 11:03关键词:材料IBM集成电路收藏点赞

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根据来自IBM内外部的消息,IBM Microelectronics正考虑放弃在先进半导体中使用SiLK low-k绝缘材料

   但是,IBM还不得不批量交付采用SiLK技术制造的产品。

在本月早些时候在Dallas举行的国际可靠性物理研讨会(International Reliability Physics Symposium)上,有消息表明,对于是否继续努力解决SiLK的热膨胀问题还是放弃它转而采用CVD(化学气相沉积)材料,IBM内部一直存在争论。

虽然据说SiLK比较低的k值更容易扩展,但它的热膨胀系数(CTE)比CVD碳掺杂氧化物要高得多,造成绝缘材料从芯片上的铜互连上分离。分层一直是互连过孔与铜线连接点处最麻烦的问题。

IBM承认过去几年中,被迫将一些ASIC客户从SiLK基的设计回到更保守的氟化硅玻璃(FSG)工艺。IBM发言人表示,“我们一直在寻找其它的方法,如CVD材料或扩展FSG。SiLK也不是IBM唯一的方案。即使它很有前途,但这并不意味着我们不会寻找其它的解决方案。”


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