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盘点2013年TD强芯之旅:嬗变中的逆袭与涅磐

2014-01-15 09:25来源:C114中国通信网关键词:TD芯片LTE芯片产业收藏点赞

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演进的未来:技术产品不断与时俱进

国内外芯片厂商尤其是国内芯片厂商要想在未来芯片市场上占据一席之地,开发工作必须要与新技术和新标准同步进行,同时不断提高芯片高集成度、高性能以及降低成本和功耗。

工艺制程

虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战,但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。在3G时代早期,多模TD芯片厂商基本采用65nm甚至90nm制程,导致成本功耗居高不下,一直阻碍着TD-SCDMA的发展。

但随着TD—LTE时代的到来,多模多频基带以及平台芯片复杂度的提高,以及成本、功耗要求的不断提高,联芯科技总经理助理、大唐电信集团首席专家刘光军指出,未来LTE芯片在工艺上要加速向28nm、20nm甚至更先进工艺演进,同时要求更先进的封装技术。单芯片SoC、系统级封装有助于实现芯片的小型化,进一步降低成本。

产品标准

除了要求基带和射频支持多模多频之外,从发展来看,TD-LTE智能终端还需应用处理器具备强大的数据与多媒体处理能力。联发科技中国区总经理章维力就表示,在4G时代,数据流量的爆发和智能手机多媒体化的发展成为主流特征,具有强大数据和多媒体能力的智能手机芯片将是市场发展的主要方向。

同时,虽然国内外厂商在LTE芯片领域高歌猛进,但Marvell移动产品总监张路指出:“根据ITU的定义,4G应该是在定点状况,下载速率达1Gbps;在高速移动状况,下载速率达100Mbps。TDD和FDD技术都可以满足ITU 4G的标准。LTE只是迈向4G的第一步,以后会是LTE-Advanced。LTE-A明年就会在北美和欧洲开始商用,中国芯片厂商需做相应的技术储备和产品研发。”

而对于LTE的后续演进,章维力指出,联发科会密切观察和参与LTE-A技术标准的制定,跟随运营商在LTE-A技术演进的步伐。在研发方面,芯片厂商应该做好无线技术方面的准备,同时也要面对超宽带无线技术对手机整体系统芯片带来的挑战。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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