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【数据】史上最全的深度报告:解密石墨烯的前世今生

2014-11-14 12:08来源:i投资关键词:石墨烯储能超级电容器收藏点赞

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(二)气相沉积法

化学气相沉积(CVD)是一种能够规模化沉积半导体薄膜的制备技术,目前在工业上应用最为广泛。该方法是在真空中将甲烷等碳素源加热到1000℃,使其分解,然后在Ni及Cu等金属箔上形成石墨烯膜。2010年6月韩国成均馆大学与三星电子研究所宣布,通过该方法开发出可制得30英寸单层石墨烯的制造工艺以及采用这种石墨烯膜的触摸面板。 

该方法优点在于工艺简单,能够制备大面积石墨烯薄膜。缺点在于:(1)在1000℃高温下采用的工艺只能以分批处理的方式推进;(2)存在反复转印过程中容易混入杂质的问题;(3)理想的基片材料单晶Ni的价格昂贵,使得综合制造成本偏高。

(三)外延生长法

外延生长法又叫做热分解法,是以单晶碳化硅(SiC)为原料,将SiC基板加热到1300℃左右去除表面的Si,剩下的碳原子自发性重新组合形成单层或者多层石墨烯片。IBM公司在2010年1月将原来的机械剥离法改为此方法制成了石墨烯FET。 

该方法的优点在于可以得到尺寸较大、质量较高的单晶石墨烯;缺点包括:(1)石墨烯片很难转印到其他基板上,只能使用昂贵的SiC基板;(2)工艺条件苛刻,必须在高温和超高真空条件下实现。

原标题:深度报告:解密“黑金子”石墨烯的前世今生(附股)
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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