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(二)气相沉积法
化学气相沉积(CVD)是一种能够规模化沉积半导体薄膜的制备技术,目前在工业上应用最为广泛。该方法是在真空中将甲烷等碳素源加热到1000℃,使其分解,然后在Ni及Cu等金属箔上形成石墨烯膜。2010年6月韩国成均馆大学与三星电子研究所宣布,通过该方法开发出可制得30英寸单层石墨烯的制造工艺以及采用这种石墨烯膜的触摸面板。
该方法优点在于工艺简单,能够制备大面积石墨烯薄膜。缺点在于:(1)在1000℃高温下采用的工艺只能以分批处理的方式推进;(2)存在反复转印过程中容易混入杂质的问题;(3)理想的基片材料单晶Ni的价格昂贵,使得综合制造成本偏高。
(三)外延生长法
外延生长法又叫做热分解法,是以单晶碳化硅(SiC)为原料,将SiC基板加热到1300℃左右去除表面的Si,剩下的碳原子自发性重新组合形成单层或者多层石墨烯片。IBM公司在2010年1月将原来的机械剥离法改为此方法制成了石墨烯FET。
该方法的优点在于可以得到尺寸较大、质量较高的单晶石墨烯;缺点包括:(1)石墨烯片很难转印到其他基板上,只能使用昂贵的SiC基板;(2)工艺条件苛刻,必须在高温和超高真空条件下实现。
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工业和信息化部等八部门印发《新型储能制造业高质量发展行动方案》。到2027年,我国新型储能制造业全链条国际竞争优势凸显,优势企业梯队进一步壮大,产业创新力和综合竞争力显著提升,实现高端化、智能化、绿色化发展。同时文件还明确,新型储能制造业规模和下游需求基本匹配,培育生态主导型企业3—5
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