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目前,我国IGBT行业竞争群组分为三类,中高端产品被欧美、日韩占据,国内企业占据中低端IGBT产品少部分市场份额。
我国IGBT行业进口产品主要是日本和欧美品牌,主要的品牌有英飞凌、三菱、FUJI、ABB、IR、东芝(IGBT已与三菱合并)、飞兆等,欧美品牌的产品主要用在电力电子和通讯行业,而日本的品牌主要用于电磁炉、变频空调、冰箱、洗衣机等家电类居多。英飞凌的IGBT单管也在家电类产品中占有一席之地,而三菱的IGBT模块在也开始大量应用于军工、电力电子等行业。
我国IGBT行业品牌竞争格局
资料来源:智研咨询整理
一、2015-2017年中国IGBT行业发展现状分析
我国IGBT行业发展至今,已取得较大进展,虽然仍需大量进口,但已有一部分企业具备规模化生产能力。2010年我国IGBT功率电器模块产量为190万只,2017年增长至820万只。
2010-2017年中国IGBT行业产量
资料来源:智研咨询整理
IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体技术已经日益广泛地应用于日常消费品、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、可再生能源及军工等重点领域,只要涉及到用电的各种场合,就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。“目前,中国是世界上最大的功率半导体器件消费国,但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口,这势必影响国民经济的安全、可持续发展。
我国IGBT技术取得一定突破,应用需求巨大。IGBT芯片技术方面,中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线,具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力,芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全覆盖。成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线,8英寸3300V芯片已完成试制与测试,6500V芯片也已研发出合格样品。IGBT模块技术方面,封装IGBT模块所用芯片大多由英飞凌、ABB等国外公司提供,只有极少量的芯片由国内生产,国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场,占全球市场的40%以上,未来一段时期仍将保持15%以上的速度增长,市场潜力巨大。
在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下,国内IGBT的发展获得巨大的推动力,市场持续快速增长。2017年,国内IGBT市场需求达到了6680万只。近几年我国IGBT市场需求情况如下图所示:
2010-2017年我国IGBT市场需求情况
资料来源:智研咨询整理
二、2018年~2024年中国IGBT行业发展预测分析
随着国内IGBT行业企业技术水平的不断提高,行业企业产能的扩张,未来几年我国IGBT行业面临快速发展阶段,预计到2024年我国IGBT行业产量将达到7820万只。
2018-2024年中国IGBT行业产量预测
资料来源:智研咨询整理
随着国内新能源产业及物联网领域的不断发展,未来几年国内IGBT行业需求将不断增长,预计到2024年我国IGBT行业需求量将达到1.96亿只。
2018-2024年中国IGBT行业需求情况预测
资料来源:智研咨询整理
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1引言变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后,电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
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仟亿达变频器节能改造产业经历大约30年的研发与应用实践,随着新型电力电子器件和高性能微处理器的应用以及控制技术的发展,变频器的性能价格比越来越高,体积越来越小,而厂家仍然在不断地提高可靠性实现变频器的进一步小型轻量化、高性能化和多功能化以及无公害化而做着新的努力。仟亿达变频器节能改造性能的优劣,一要看其输出交流电压的谐波对电机的影响,二要看对电网的谐波污染和输入功率因数,三要看本身的能量损耗(即效率)如何?这里仅以量大面广的交—直—交变频器为例,阐述它的发展趋势:1、主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化,开关频率
据Yole Developpement市场调查公司2013年报告,2014年IGBT市场总值将达到43亿美元,比2013年的39亿美元多出40亿美元。而从2011~2018年走势可见,主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(如图1)。同时,铁路牵引、可再生能源发电等需要越来越高的可靠性。 可靠性成为功率电力电子器件的关键指标。IGBT等大功率的电力电子器件通常需要大电流,例如地铁需要8A,新能源汽车需要600A,风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性非常关键,例如机车牵引的期望寿命超过三十年,功率器件通常需上万次甚至百万次的功率
五月初,我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的“CPU”。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段,株洲所是我国唯一全面掌握IGBT从芯片设计—模块封装—组件—应用全套技术的企业,也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这,不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀,更归功于它跨越大功率半导体国产化“三部曲
一、前言我国研究半导体器件起始于上世纪60年代,水平与国外基本同步,文革10年让我们与国外拉下较大距离,随着改革开放的步伐,这种差距才逐步得以改善。90年代末期,三峡输变电工程给我国电力半导体器件技术发展提供了机遇;继而,依托特高压直流输电工程的支撑,持续不断地自主创新,使高压器件制造技术达到目前国际领先水平,提升了整个电力电子行业的技术进步,引领应用技术迈向新的台阶。二、三峡输电工程赋予超大功率电力半导体器件新的发展机遇二十世纪末(1998年),举世瞩目的三峡水电站即将建成,国务院三峡办会同有关部委并组织专家进行调研和充分论证,结合国内设备制造厂家的
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