来源：21IC2011-08-16

到了80年代以后，随着功率mosfet工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场（1）。...式中：ip为器件开关过程中流过的电流最大值；vp为器件开关过程中承受的电压最大值；ts为开通关断时间；f为工作频率；cds为功率mosfet的漏源寄生电容。

来源：CCTIME飞象网2011-08-12

每场研讨会将有4位专家做技术报告，探讨电容器、mosfet、电源模块、二极管和光耦合器在新能源、军工、通信、工业电源和其他行业中的应用。研讨会面向研发工程师，用中文讲解，cef的观众可以免费参加。...在8月23日上午10点50分至11点30分和8月25日上午9点30分至10点10分两个时间段，vincenttong将介绍vishaysiliconix的高、中、低压mosfet的晶圆制造和封装技术，以及

来源：申银万国证券2011-08-10

mosfet生产线的扩产计划延后,而igbt业务近期刚实现了消费电子领域的量产,所以短期内业务增长慢,不过2012年值得注意。维持增持评级。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-04

在电池反向条件下，集成保护电路可以打开mosfet主开关，有助于纾缓固有的体二极管，减轻或消除散热问题。

来源：赛迪网2011-06-30

，analogictech )28日宣布推出aat4616 智能开关(smartswitch )系列，该系列为专门针对高端负载开关应用而设计的完全可调、低导通阻抗(rds(on))、超高精度限流p沟道mosfet

来源：世强电讯2011-06-23

※瑞萨电子照明用mosfet 瑞萨电子的mosfet采用低内阻、大电流工艺，极大降低开关损耗，多种封装，品种齐全，可满足多样化的需求。凭借卓越可靠的性能优势，目前已被广泛应用于照明领域。

来源：搜狐IT2011-06-15

随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。...目前逆变器会根据不同功率采用igbt、mosfet和高速二极管作为功率变换的主要器件，市场要求这些器件具有更低的传导损耗与开关损耗及高可靠性等优点。

来源：互联网2011-06-02

该电路是采用廉价的双运放tab2453和buz74型功率开关管mosfet设计的无电源变压器稳压电源。其输入市电电压为z20v+-30v，输出直流电压为4．8v，输出电流为110ma。

来源：EDN电子设计技术2011-06-01

全新60v逻辑电平optimos“606”系列小信号mosfet英飞凌以提供适用于汽车(aec q101)的品质优异...英飞凌为实现高能效电源转换设计助一臂之力：中压系列optimos进一步完善canpak产品阵容英飞凌新推出的60v至150v canpak，进一步完善了其optimos功率mosfet产品阵容。

来源：www.21dianyuan.com2011-05-31

英飞凌的最新一代高压coolmos mosfet取得了又一项创新，设立了能效的新标准。...650v coolmos cfd2集快速开关超级结技术mosfet的优越性于一身，包括更出色的轻载效率、更低栅极电荷、易于应用和出众的可靠性等。

来源：www.21dianyuan.com2011-05-26

6a同步降压稳压器isl8016，效率可高达97%功能和规格isl8016集成了两个低导通电阻mosfet，允许用户在500khz至4mhz的范围内调整工作频率。

来源：北极星电力新闻网2011-05-24

由于高集成度，88em8801省去了诸如mosfet和整流二极管等大部分外部元件，极大地节省了材料清单（bom）成本和电路板空间。...产品概述： marvell的88em8801内置四个大功率mosfet、一个i2c接口和一个一次性编程（otp）存储器块，可以精确和有效地进行每个led串的电流控制。

来源：世强电讯2011-04-15

其代理的安华高工业光纤及光耦产品，micrel的以太网器件、瑞萨电子mcu、mosfet及电源管理器件，littelfuse的电路保护器件等在电力领域有着非常广泛的应用，覆盖了从输变电到终端的诸多环节。

来源：慧聪电子网2011-04-07

vishay简介vishay intertechnology,inc.是在纽约证券交易所上市的“财富1,000强企业”，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器

来源：电源门户网2011-04-04

三、电力电子市场商机巨大，本土功率器件商还需努力 中国高铁、电动汽车、智能电网的巨大投资，让电力电子市场的大功率器件如igbt、高压mosfet需求暴涨，有关数据显示，未来igbt器件的年复合增长率会在

来源：互联网2011-04-04

美高森美除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外，还提供igbt、mosfet和fred，推动实现更高效的新型转换器拓扑，如三级逆变器、交错式pfc升压转换器及矩阵转换器。...近日，microsemi宣布其太阳能技术产品系列现已供货，包括smartfusion和igloo fpga；模拟及混合信号器件如旁路二极管/开关、mosfet、fred和igbt；dc-dc转换器，以及脉宽调制

来源：互联网2011-03-24

其中开关器件采用适合于小功率装置、具有开关速度快、工作频率高等特性的功率mosfet。开关管的栅极驱动信号来源于mr16单片机产生的spwm波经驱动电路后的信号。

来源：电子工程世界2011-03-23

20世纪60年代以后，电力电子器件经历了scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)、bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、 sith(静电感应晶闸管

来源：EEWORLD2011-03-01

恩智浦还供应各种超低功耗的微控制器、驱动器、mosfet以及其它元件，以满足太阳能技术发展的需求，而较竞争技术，太阳能技术可提供更高的性能和效率。

来源：广州市爱浦电子科技有限公司2011-01-18

在10mω负载的情况下，通往负载路径上的每mω电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。