来源：电力电子网2018-05-29

igbt结构左边所示为一个n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， n+区称为源区，附于其上的电极称为源极(即发射极e)。n基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极(即门极g)。...而在漏区另一侧的p+区称为漏注入区(drain injector)，它是igbt特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-11

利用碳化硅材料制作的igbt(绝缘栅双极晶体管)等功率器件，其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一，碳化硅技术可以有效减小二极管反向恢复电流，从而能降低功率器件上的开关损耗，主开关所需的电流容量也能相应减小

来源：电网技术杂志2017-11-16

abb 公司于 2011 年研制了 80kv 3ms 分断 8.5ka 基于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)直接串联的混合式直流断路器样机...在分析直流电网对高压直流断路器技术性能要求的基础上，对机械式直流断路器和分别基于晶闸管和绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)的 2 种混合式直流断路器的电流分断特点和发展现状进行了阐述

来源：国家电网公司2017-09-20

柔性直流输电技术是基于绝缘栅双极晶体管（igbt）的新一代直流输电技术，具有响应速度快、可控性好、运行方式灵活、同等容量占地规模小等特点，是目前世界可控性最高、适应性最好的输电技术，在大规模可再生能源并网...至此，我国柔性直流输电正快速向大容量、多端、双极、背靠背等多个研究方向开展实践和探索。

来源：北极星输配电网2017-09-13

柔性直流输电技术是基于绝缘栅双极晶体管（igbt）的新一代直流输电技术，具有响应速度快、可控性好、运行方式灵活、同等容量占地规模小等特点，是目前世界可控性最高、适应性最好的输电技术，在大规模可再生能源并网

来源：电力电子网2017-09-13

5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。...前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管

来源：国家电网报2017-09-13

柔性直流输电技术是基于绝缘栅双极晶体管（igbt）的新一代直流输电技术，具有响应速度快、可控性好、运行方式灵活、同等容量占地规模小等特点，是目前世界可控性最高、适应性最好的输电技术，在大规模可再生能源并网...至此，我国柔性直流输电正快速向大容量、多端、双极、背靠背等多个研究方向开展实践和探索。

来源：“输配电线路”微信公众号2017-08-14

高压直流输电技术是利用大功率电力电子元件，如，高电压大功率晶闸管、可关断可控硅gto、绝缘栅双极晶体管igbt等组成整流与逆变设备，以实现高电压、远距离电力传输。

来源：悦智网2017-08-08

从20世纪90年代末开始，hvdc的配置依赖于绝缘栅双极晶体管(igbt)一种每个周期可多次开关的专用晶体管。最新igbt的开关速度不到十亿分之一秒。现在的hvdc换流器称为电压源换流器(vsc)。

来源：输配电线路2017-07-05

高压直流输电技术是利用大功率电力电子元件，如，高电压大功率晶闸管、可关断可控硅gto、绝缘栅双极晶体管igbt等组成整流与逆变设备，以实现高电压、远距离电力传输。

来源：高电压技术2016-10-25

尤其是随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极晶体管换流阀（igbt）的柔性直流输电（vsc-hvdc）技术，因为具有有功无功可实现快速解耦控制、不存在换相失败、输出电压电流谐波含量低等优势，在可再生能源并网

来源：北京华电科协2016-09-28

联络线投人商收运行以来,hvdc作为一项口趋成熟的技术在远距离大功率输电、海底电缆送电、交流系统间的非同步联络等方一面得到了广泛应用然而,由于技术经济的原因,hvdc在近距离小容量的输电场合却难以应用随着绝缘栅双极晶体管

来源：国家电网报2016-08-12

压接型超大功率igbt（insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管）是实现柔性直流输电技术向超高压、超大容量及多端化、网络化方向发展的核心器件，具有短路失效、双面散热的特殊优点

来源：MEMS2016-07-28

市场走低的主要原因归咎于igbt（绝缘栅双极晶体管）模组平均销售价格（averagesellingprice,asp）的强势下跌。...综合考虑功率晶体管、二极管和模组，英飞凌集团巩固了其在电力电子行业的领导地位。要与如此强大的对手竞争，其它公司的策略将分为3种途径：加大研发投入、多元化经营或者并购。

来源：UPS应用2016-04-01

3、高频化第一代ups的功率开关为可控硅，第二代为大功率晶体管或场效应管，第三代为igbt（绝缘栅双极晶体管）。...大功率晶体管或场效应管开关速度比可控硅要高一个数量级，而igbt功率器件电流容量和速率又比大功率晶体管或场效应管大得多和快的多，使功率变换电路的工作频率高达50khz。

来源：电力系统保护与控制2015-11-11

随着电力电子器件和控制技术的发展，出现了新型的全控型半导体器件-绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor, igbt)。...图1 lcc-vsc拓扑结构图虽然目前lcc-hvdc应用较为广泛的是双极12脉动直流输电系统，但增加两个6脉动换流桥，投资成本增加更多。综合考虑，该h-hvdc的整流侧采用双极6脉动形式。

来源：国际节能环保网2015-09-16

比如，绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由一些拥有领先技术优势的外资企业所把控。

来源：EET2015-07-27

自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr)、mos可控晶闸管(mct)、电力mosfet以及绝缘栅极双极晶体管(

来源：电子产品世界2015-07-14

目前，各种固态继电器使用的输出器件主要有晶体三极管(transistor)、单向可控硅(thyristor或scr)、双向可控硅(triac)、mos场效应管(mosfet)、绝缘栅型双极晶体管(igbt

来源：控制工程网2015-02-15

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。