来源：高电压技术2016-10-25

尤其是随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极晶体管换流阀（igbt）的柔性直流输电（vsc-hvdc）技术，因为具有有功无功可实现快速解耦控制、不存在换相失败、输出电压电流谐波含量低等优势，在可再生能源并网

来源：北京华电科协2016-09-28

联络线投人商收运行以来,hvdc作为一项口趋成熟的技术在远距离大功率输电、海底电缆送电、交流系统间的非同步联络等方一面得到了广泛应用然而,由于技术经济的原因,hvdc在近距离小容量的输电场合却难以应用随着绝缘栅双极晶体管

来源：国家电网报2016-08-12

压接型超大功率igbt（insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管）是实现柔性直流输电技术向超高压、超大容量及多端化、网络化方向发展的核心器件，具有短路失效、双面散热的特殊优点

来源：MEMS2016-07-28

市场走低的主要原因归咎于igbt（绝缘栅双极晶体管）模组平均销售价格（averagesellingprice,asp）的强势下跌。

来源：UPS应用2016-04-01

3、高频化第一代ups的功率开关为可控硅，第二代为大功率晶体管或场效应管，第三代为igbt（绝缘栅双极晶体管）。

来源：中国证券报·中证网2016-02-18

同时针对未来智能电网对电力装置更大容量、更低损耗、更小的发热量要求，需要研发更高电压、更大容量、更高结温的全控型电力电子器件，其核心器件绝缘栅双极晶体管（igbt）芯片,目前被国外少数公司拥有和垄断。

来源：电力系统保护与控制2015-11-11

随着电力电子器件和控制技术的发展，出现了新型的全控型半导体器件-绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor, igbt)。

来源：国际节能环保网2015-09-16

比如，绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由一些拥有领先技术优势的外资企业所把控。

来源：EET2015-07-27

自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr)、mos可控晶闸管(mct)、电力mosfet以及绝缘栅极双极晶体管(

来源：电子产品世界2015-07-14

目前，各种固态继电器使用的输出器件主要有晶体三极管(transistor)、单向可控硅(thyristor或scr)、双向可控硅(triac)、mos场效应管(mosfet)、绝缘栅型双极晶体管(igbt

来源：控制工程网2015-02-15

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：控制工程网2015-02-13

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：日经BP社2014-12-03

意法半导体公司（stmicroelectronics）12月1日发布了光伏发电逆变器（pcs）用的1200v耐压新型绝缘栅双极晶体管（igbt）。1200v耐压的新型绝缘栅双极晶体管封装外观。

来源：北极星环保网2014-11-05

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：北极星电力网2014-08-25

电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5 英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：北极星电力网2014-08-11

绝缘栅双极晶体管(igbt)是北京仟亿达科技有限公司变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：北极星环保网2014-07-31

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：中国电力电子产业网2014-06-09

igbt，学名绝缘栅双极晶体管，是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的cpu。

来源：中国电力电子产业网2014-05-19

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (international rectifier，简称ir) 宣布扩充节能的600v绝缘栅双极晶体管 (igbt) 系列，并提供多种封装选择。

来源：UPS应用2014-02-25

绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件。...它既有功率mosfet易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点1、igbt在ups中的应用情况绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件