2006-09-05
离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 ...特别是2003年七星华创以及2004年中国电子科技集团公司第48研究所研制成功的电池片制造用最关键设备之一——热壁式生产型pecvd设备,使我国设备业已基本具备太阳能电池制造设备整线供给能力。
2006-08-29
据介绍,我国led产业已初步形成了从外延片生产、芯片制造、器件封装到集成应用比较完整的产业链,但在led上游差距非常大,主要是mocvd(金属化学气相沉积设备)外延材料水平不高、规模不大、投入不够、人才缺乏
2006-02-22
针对对我国设限的关键设备,如光刻机、mocvd、离子注入机等,以及新型半导体材料,如氮化镓、soi材料等,开展自主创新,争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。
2005-02-05
通过近三年上千炉的mocvd材料生长实验和上百次的器件工艺实验,课题组艰苦攻关,积极创新,攻克了氮化镓基激光器研究中材料生长、器件工艺、器件测试等一系列技术难题,将氮化镓材料本底电子浓度降到小于5x1016
2005-01-28
在平板显示器件(fpd)方面,tft-lcd的生产中采用了大面积制版、大面积光学曝光、多室磁控溅射、多室pecvd等诸多半导体设备;led的生产设备则包括mocvd、lpe在内的全套半导体设备;此外,pdp
2004-12-28
它扩展了ibm 90nm工艺中的低k绝缘,它基于专利的碳掺杂氧化材料,并采用applied materials公司的cvd工具沉淀而成。 65nm技术还采用了一种12.5埃等离子氮氧化门。
2004-12-22
其次,增加一套世界先进的全自动太阳电池生产线,包括大型pecvd设备、扩散炉和丝网印刷机等,产量可达每小时1400片,年产多晶硅电池片50兆瓦。
2004-11-23
其次,从资金方面也有较大的投入,很多研究单位(大学)为了深入并扩大研究相关课题,投入大量资金,购置新的mocvd外延设备,如中科院半导体所、南昌大学、厦门大学等单位。...许多有实力的前工序企业正在加大投资力度,购置新设备,如厦门三安、深圳方大、江西联创、上海北大蓝光等单位均在购置新的mocvd外延设备和芯片制造设备,以增强研发力度和扩大产业化规模。
2004-10-15
这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统
2004-08-30
2004-02-12
应用材料公司的低k薄膜技术是基于化学汽相沉积(cvd),该薄膜的k值为3,具有2gpa的硬度和12gpa的模数,该公司薄膜有效k级系数为3.2。
2003-04-25
虽然据说silk比较低的k值更容易扩展,但它的热膨胀系数(cte)比cvd碳掺杂氧化物要高得多,造成绝缘材料从芯片上的铜互连上分离。分层一直是互连过孔与铜线连接点处最麻烦的问题。...ibm发言人表示,“我们一直在寻找其它的方法,如cvd材料或扩展fsg。silk也不是ibm唯一的方案。即使它很有前途,但这并不意味着我们不会寻找其它的解决方案。” 电子工程专辑
2003-04-09
基于长期与iii-v族及硅晶圆产业伙伴的密切配合,并积极投入oled制程设备之研发,主要产品包括电浆辅助化学气相沉积设备(pecvd):p100c/p200c;电子枪蒸镀设备(e-beam):e850/
来源:通信世界网2007-09-17
长飞光纤光缆公司开发成功的pcvd+ovd工艺,富通集团开发的全合成工艺大棒制造和设备制造技术,都取得了可喜的成果。
2007-04-13
nf3代替sf6(六氟化硫),被用于等离子cvd(化学气相沉积)装置中使用的室内洗涤用气体。2006年的市场规模比上年增加16.3%,达到500亿日元,供货量达到3850吨。
来源:《IT经理世界》2007-03-12
前半段工艺流程的设备包括清洗机、蚀刻机、扩散设备基本可以实现国产化,而后半段的pecvd涂膜设备、丝网印刷机则采用进口设备,这样成本较低,而且效果不错。
来源:《中国电子报》2007-03-07
正是在这种理念的引导下,他们研制成功了pecvd设备。事实上,他们研究薄膜淀积技术和相关设备已多年,以前的pecvd设备主要应用于ic行业。...应用于ic行业的pecvd装片舟均采用铝材料制作,其耐温低、易变形的缺点使其不适用太阳能行业。我们在做了大量试验并参考了国外设备之后,最终采用了新装片舟用来承载硅片。