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解读2014中国“芯”希望:华为海思横空出世

2015-02-04 15:41来源:OFweek电子工程网关键词:华为海思电力芯片收藏点赞

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以手机芯片为例,由于国产TD-LTE芯片技术成熟度与国际品牌有较大差距,目前高通几乎垄断了国内LTE手机芯片中的八成订单。业内曾有这么一个段子,说苹果一“饥渴”,其他手机品牌就要挨饿,说的是由于高端芯片供应有限,在芯片厂商选择客户时,国产手机厂商只能排在等待的队伍中。

并且,由于受制于欧洲的GSM标准和美国的CDMA标准,付出的专利费数以百亿计。

手机中国联盟秘书长王艳辉对记者表示,海思等国产手机芯片厂商通过近年来的努力,有效提升了自身的竞争力。在4G时代,虽然国产手机芯片产业仍然落后于国外,但在一些产品和技术方面,与国外的差距已经大大缩小。

“要取得核心竞争力,靠什么,必须要在高技术领域有所作为。”飞项网CEO项立刚表示,芯片关系着国家战略、关系着经济发展、关系着国家安全,这些都是王劲这样的科学家在默默努力,这样的人才是中国的脊梁。

产出16nm网络处理器 效能增快3倍

2014年9月,海思半导体与台积电合作,成功产出了世界上第一颗基于16nm FinFET制造工艺、ARM架构的网络处理器,功能完备。

台积电表示,16nm FinFET工艺能够显著改进芯片性能、功耗,并降低漏电率,栅极密度是台积电28nm HPM工艺的两倍,同等功耗下速度可以加快超过40%,同频率下功耗则可以降低超过60%。

台积电同时透露,他们对FinFET立体晶体管的研究已经超过10年,这是第一次投入实用。

在完成了所有可靠性验证后,台积电16nm FinFET工艺于2013年11月份进入风险性试生产,初期良品率就非常喜人,随即便开始为客户提供流片、试产、出样工作。

国产半导体厂商海思的出境着实意外。据透露,海思的这颗网络处理器基于ARM Cortex-A57 64位架构,主频可达2.6GHz,比上代性能提升了3倍,而且支持虚拟化、软件定义网络(SDN)、网络功能虚拟化(NFV),功耗优化也取得了新的飞跃,可用于高端网络领域。

它利用台积电的异构CoWoS 3D IC封装工艺,在一个28nm I/O芯片上集成了16nm逻辑芯片,大大降低了成本。——这说明新处理器还不是完整的16nm产物,而是一个混合试验品。

原标题:2014中国“芯”希望:华为海思横空出世
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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