2005-02-06

摩尔定律关于硅芯片的动力每十八个月翻一番的预言在未来的三、四十年中仍将继续发挥它振奋人心的指导性，而半导体工程师需要做的只需每年将所有晶体管的尺寸压缩约10%而已。 　　...该学院嵌入式系统及技术研究中心的主任克里士纳-佩伦介绍说，既然在十年或者更长的时间内，对硅晶体管的品质控制仍然无法实现的话，“不如就从不确定性的角度出发，尝试去适应这种不确定性并探讨处理它的办法。” 　　

2005-02-03

我们现在使用的个人电脑芯片产品是基于硅芯片以及晶体管元件，而这种硅芯片已经统治了芯片领域达数十年之久，然而惠普在发布会上表示将会在未来的十年中逐渐打破这种硅统治芯片产品的局面，并且渐渐将业界带入更高一层的技术领域

2004-12-20

就在这一年，贝尔实脸室把硅半导体晶体切成薄片，在硅片的正面和背面分别涂上少量的硼和砷，于是，太阳能电池终于从"胚胎"发育成"婴儿"降生了。此后，太阳能电池迅速发展并得到广泛应用。...经过 78 年的孕育，直到 1954 年，美国著名的贝尔实脸室在研究硅半导体时又惊奇地发现，当在硅中掺入一定的微量杂质后，经太阳光的照射，也能产生电流，而且光电转换效率达到10%左右。

2004-10-26

英特尔预计在2007年开始生产45纳米的微处理器，这些芯片和现在的芯片将不同，晶体管门将用金属制造，而不是硅，充当“门氧化物”的也将不是二氧化硅。...但是，从2000年开始，芯片设计人员虽然仍然部分依赖缩小晶体管尺寸提高性能，他们也开始采用其它技术。 　　

2004-10-14

soi技术在芯片的晶体管与硅基片之间增加了一个绝缘埋层。这个绝缘层能够降低硅基片与活性晶体管之间的电容，从而使生产出的芯片速度更快，并且消耗的功率也更低。...中国台湾省的台积电（tsmc）公司是全球最大的合约芯片制造商，它与freescale半导体公司10月12日在一份声明中表示，两公司已经联手，将合作开发用于65nm芯片加工工艺的soi（绝缘硅）技术

2004-09-28

新工艺将基于两家半导体制造商在先进结构和材料方面的经验，如绝缘硅晶体管、铜互连和改进的低k介电绝缘。

2004-08-18

光刻是芯片制造中最关键的制造工艺，它能将设计好的电路“刻”到硅晶体上，就好像用微型画笔在硅晶体上绘制微细线条一样。半导体工业的精髓也正在于此。

2004-08-16

国家软件与集成电路公共服务平台谢学军博士认为，随着信息产业的飞速发展，需要将数个集成电路模块或整个系统以ip模块方式集成到单个芯片上，人们并不需要从最原始和最基础的晶体管或门级单元开始进行集成电路的设计...在集成电路的设计和研制中，ip或sip(硅知识产权模块)概念已经使用了将近20年，应该说标准单元库就是ip的一种形式，foundry(代工线)为扩大业务，便以精心设计并经过工艺验证的标准单元吸引ic设计公司成为它的客户

2004-02-24

ibm通信技术经理modestoprysko表示，“我们还没有解多路复用器，但我们的多路复用器有许多晶体管，完整时钟树，我们可以说明如何使这些锁存在硅锗中工作。”...ibm在国际固态电路会议(isscc)上声称其硅锗芯片技术在每秒比特和时钟频率特性上打破纪录。 通过以速度高达132gbps进行通信的多路复用器实验证明，硅打败磷化铟。

2004-02-06

工艺技术仍然还有一些绝活卖点，比如绝缘硅、应变硅、多门器件及其它技术进步。但总体上，cmos器件每两或三年经受的70%的尺寸缩减已无法再体现出相应的性能提升。...金属互连发出了苛刻的挑战，因为铜和低k介电质的速度将无法再提升，不足以保持布线延迟与晶体管延迟的平衡，kahle指出。 为了保持芯片工业健康发展，各公司必须采取新措施以增加价值。

2003-12-30

而该公司首次绕过sige层生产出具有极薄ssdoi结构的晶体管，“在实现高电子迁移率的同时，还解决了生产时的问题”。　　...一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(soi)相结合的ssdoi技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(cmos)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。　　

2003-11-25

此项突破采用光电路设计通用的光晶体技术，在标准光纤及片上光波导之间产生高效耦合。...首先，采用点转换(spot-conversion)技术耦合光纤及传统硅波导器件；然后，再采用基于输入波导宽度变化的技术将硅波导与光soi波导耦合。

2003-11-07

该公司将在晶体管的两个基本元素，也就是晶体管栅与闸电介质，采用不同于传统的材质。晶体管闸是控制晶体管电流的开关，目前主要采用硅；闸电介质是位于闸门之下的一个绝缘层，采用硅氧化物。

2003-11-05

ibm直接应用绝缘体技术开发出了第一代采用应变硅的晶体管，这既提供了高的机器性能，又解决了制造难题。...同时，ibm也是第一次将两种不同的硅涂层结合在一起，这些能最大限度优化使用辅助金属氧化物半导体装置的重要晶体管的性能。而这种晶体管，无论对移动电话，还是超级计算机等的性能提高都是必不可少技术.

2003-10-09

ibm公司的新成果不仅有助于大幅提高硅锗双极晶体管性能，也为以同一块“绝缘体上硅”晶片为基础，同时集成互补金属氧化物半导体晶体管和硅锗双极晶体管铺平了道路。

2003-09-28

据辜树辉介绍，目前该公司的节能灯用晶体管生产线已经满负荷运转，此次来参加会议的目的之一就是了解行业动态，为下一步扩大投资做准备。...许居衍认为，根据硅技术的发展规律，到2014年全球半导体行业将进入饱和期，仅仅能够保持11.3%的增长率。

2003-09-15

ibm透露说，该公司已经开发出基于ssdoi技术的第一只晶体管。该场效应晶体管克服了使用现代硅锗技术带来的材料和工艺集成的问题，具有很高的电子迁移率。 　　...　　ibm日前宣布，该公司开发出两种新型芯片制造技术，可制造更高速芯片，它们是绝缘应变硅ssdoi(strained-silicon directly on insulator)和混合定向技术hot(hybrid-orientation

2003-05-13

这个"概念验证型"晶体管的尺寸大约是最新型微处理器中的晶体管尺寸的十分之一，可把电子元件中的晶体管数目在目前的的基础上增加100倍...从2000年起，ibm开始大批推出采用铜芯片的产品，如rs/6000的x80系列产品，ibm也因此成为世界上首家铜芯片生产厂商和首家应用硅绝缘体来提高芯片性能和降低芯片功耗的厂商。

2003-05-06

另外一个新发明就是ibm在2001年所研制的新型晶体管。传统的硅晶体管只能单独处理电子束或正极空位，二者不可兼得。但ibm的新型硅晶体管就能做到同时处理两种电子束。这就是所谓的双极晶体管技术。

2003-03-31

imec和美国国家半导体自从2002年1月以来一直在合作开发0.18微米硅锗异质结双极型晶体管(hbt)模块，目标是集成到后者现有的高速bicmos工艺家族之中。...美国国家半导体将在不影响cmos性能的前提下把硅锗hbt模块集成到现有的0.18微米cmos之中。